TBC电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种TBC电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。所述TBC电池包括：硅基底，所述硅基底的背面包括至少一个N区、至少一个P区；所述N区上设置有N型掺杂多晶硅层，所述P区上设置有P型掺杂多晶硅层；所述N区和P区之间设置有隔离区，且所述隔离区包括本征多晶硅层。本发明专利技术所述TBC电池的N与P区之间用本征多晶硅进行填充，达到隔离的目的，且本发明专利技术所述TBC电池的制备方法N与P区分别采用丝网印刷工艺制备N型掺杂多晶硅层和P型掺杂多晶硅层，且不需要激光进行物理隔离，N与P区之间采用本征多晶硅进行填充，减少了激光对电池片的损失，从而显著地提升了转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及一种tbc电池及其制备方法。

技术介绍

1、tbc(隧穿氧化层钝化接触背接触电池)电池是结合隧穿氧化层钝化接触电池(topcon)和背接触(bc)两种电池结构特点的电池，以获得电池正面无遮挡、开路电压高和短路电流大的优势。

2、目前，tbc电池(如图1所示)的制备工艺路线基本上都是：碱抛光、背面沉积第一隧穿氧化层和第一多晶硅层、硼扩散(硼掺杂形成掩膜bsg层)、第一次图形化、清洗、背面沉积第二隧穿氧化层和第二多晶硅层、磷掺杂(磷掺杂形成掩膜psg层)、第二次图形化、清洗、双面制绒、背面沉积氧化铝层、背面沉积氮化硅减反射膜、正面沉积氮化硅减反射膜、丝网印刷电极、烧结和测试分选。可见，现有tbc电池工艺流程多达16～21道工序，工艺流程长，技术难度大，成本高。

3、现有工艺路线产能缺陷严重，为制备n型掺杂多晶硅层、p型掺杂多晶硅层以及隔离区(gap区)，需采用两次扩散工艺、两次非晶硅沉积与2～3次激光，工艺时间长严重影响产能。且现有方案生产过程中反复的激光开槽和清洗刻蚀会损伤多晶硅和衬底，而激光刻蚀会本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TBC电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的背面包括至少一个N区、至少一个P区；

2.根据权利要求1所述的TBC电池，其特征在于，所述硅基底包括N型硅片；

3.根据权利要求1所述的TBC电池，其特征在于，所述硅基底的背面由内到外包括：隧穿氧化层、多晶硅层、背面氧化铝层和背面氮化硅层；其中，所述多晶硅层包括N型掺杂多晶硅层和P型掺杂多晶硅层，所述N型掺杂多晶硅层和P型掺杂多晶硅层之间填充有本征多晶硅层；所述N区设置有N区电极，P区设置有P区电极；

4.一种根据权利要求1～3中任一项所述的TBC电池的制备方法，其特征在于，包括：

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【技术特征摘要】

1.一种tbc电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底的背面包括至少一个n区、至少一个p区；

2.根据权利要求1所述的tbc电池，其特征在于，所述硅基底包括n型硅片；

3.根据权利要求1所述的tbc电池，其特征在于，所述硅基底的背面由内到外包括：隧穿氧化层、多晶硅层、背面氧化铝层和背面氮化硅层；其中，所述多晶硅层包括n型掺杂多晶硅层和p型掺杂多晶硅层，所述n型掺杂多晶硅层和p型掺杂多晶硅层之间填充有本征多晶硅层；所述n区设置有n区电极，p区设置有p区电极；

4.一种根据权利要求1～3中任一项所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的tbc电池的制备方法，其特征在于，背面沉积隧穿氧化硅层和本征多晶硅层包括：采用lpcvd工艺在所述硅基底的背面依次沉积隧穿氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢新明，叶文兰，王丹萍，
申请(专利权)人：TCL中环新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：