钝化膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用技术

本发明专利技术提供了一种钝化膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用，涉及太阳能电池的技术领域，所述钝化膜层结构包括：在硅基体背面依次层叠设置的隧穿氧化层、氧化铝层、多晶硅层和掺杂多晶硅层。本发明专利技术通过在传统隧穿氧化层与掺杂多晶硅层之间引入氧化铝层，并在掺杂多晶硅层下方增加多晶硅层，构建出具有多层协同作用的钝化接触结构，显著提升钝化性能，有效抑制硼扩散至隧穿氧化层，提升界面稳定性，解决了现有技术中存在的空穴传输能力差、钝化效果差、界面不稳定、硼扩散影响大的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其是涉及一种钝化膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用。

技术介绍

1、在太阳能电池
，p型多晶硅(p-poly-si)钝化接触结构因其优异的载流子选择性传输性能，被广泛应用于高效晶硅太阳能电池中。目前常见的p-poly结构通常包括隧穿氧化层(如二氧化硅)与p型多晶硅层的叠层结构。

2、然而，该结构在实际应用中仍存在一定的性能瓶颈。n型硅片中少子为空穴，sio2层因其高价带偏移和较大的空穴隧穿有效质量，空穴隧穿能力有限，相较于电子选择性接触表现差，导致sio2隧穿钝化效果差。此外，由于硼在氧化层sio2中的固溶度高，在硼掺杂过程中，硼原子诱导偏析进入氧化层，导致氧化层降解和界面密度增加，钝化质量和接触性能下降。

3、有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的之一在于提供一种钝化膜层结构，以至少解决现有技术中存在的技术问题之一。本专利技术通过新增氧化铝层和多晶硅层，能够阻挡硼扩散过程中硼进入隧穿氧化层中破坏氧化膜层，提升电池本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钝化膜层结构，其特征在于，包括：在硅基体背面依次层叠设置的隧穿氧化层、氧化铝层、多晶硅层和掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1-2.5nm。

3.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为1-4nm。

4.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为5-20nm。

5.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度为200-350nm；

6.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，还包括层叠设置...

【技术特征摘要】

1.一种钝化膜层结构，其特征在于，包括：在硅基体背面依次层叠设置的隧穿氧化层、氧化铝层、多晶硅层和掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1-2.5nm。

3.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述氧化铝层的厚度为1-4nm。

4.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为5-20nm。

5.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度为200-350nm；

6.根据权利要求1所述的钝化膜层结构，其特征在于，还包括层叠设置于所述掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：伏进文，何秋霞，曹琨，戎涛，
申请(专利权)人：TCL中环新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：