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本发明提供了一种TBC电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。所述TBC电池包括：硅基底，所述硅基底的背面包括至少一个N区、至少一个P区；所述N区上设置有N型掺杂多晶硅层，所述P区上设置有P型掺杂多晶硅层；所述N区和P区之间设置有隔离区，...
该专利属于TCL中环新能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL中环新能源科技股份有限公司授权不得商用。

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