【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种稳定的化学蚀刻溶液,用于蚀刻钛基材料,特别是在微电子器件上形成的钛基阻挡层,同时对可能暴露于其上的其它材料(例如铜、铝/铜、锡或其合金和/或介电材料)具有基本选择性。本专利技术还涉及一种使用所述溶液蚀刻钛基材料的方法。
技术介绍
1、在新一代电触点(例如铜柱)的制造中,在铜沉积之前沉积阻挡层,以减少介电材料中的扩散并提高粘附性能。
2、这种阻挡层可以通过cvd(化学气相沉积)或pvd(物理气相沉积)方法来沉积,并且通常具有小于或等于100nm的厚度。
3、对于这种阻挡层所选择的金属为钛、氮化钛或钛钨。
4、在铜柱的制造中,将钛基阻挡层沉积在已经具有与下方的铜金属层和可能的铝垫的接触孔的电介质表面或聚酰亚胺表面上,然后通过pvd沉积铜底漆层。
5、施加较厚的光刻胶层并显影以形成孔,电化学铜可以通过所述孔生长,并最终在铜上沉积锡或锡/银合金的薄层。
6、在去除光刻胶和通过pvd沉积的剩余的铜底漆薄层之后,必须相对于其它暴露的金属选择性地去除钛基阻挡层,以形成隔离的
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【技术保护点】
1.一种用于化学蚀刻钛基材料的溶液,所述溶液包含:
2.一种用于化学蚀刻微电子器件上的钛基材料层的方法,所述方法包括使所述层与根据权利要求1所述的化学蚀刻溶液接触足以消除所述层的时间,所述钛基材料由钛、氮化钛、钛钨或其混合物组成,优选地为钛。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在蚀刻微电子器件之后,所述化学蚀刻溶液重复用于蚀刻一个或多个其它微电子器件。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法,其中,在20℃至60℃,优选35℃至50℃的温度下加热所述化学蚀刻溶液并与微电子器件接触。
5.一种用于制备根据权利要求1所述
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于化学蚀刻钛基材料的溶液,所述溶液包含:
2.一种用于化学蚀刻微电子器件上的钛基材料层的方法,所述方法包括使所述层与根据权利要求1所述的化学蚀刻溶液接触足以消除所述层的时间,所述钛基材料由钛、氮化钛、钛钨或其混合物组成,优选地为钛。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,在蚀刻微电子器件之后,所述化学蚀刻溶液重复用于蚀刻一个或多个其它微电子器件。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法,其中,在20℃至60℃,优选...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·奥杜安,J·达维奥,J·安德烈,P·韦尔南,C·皮泽蒂,
申请(专利权)人:法国技术公司,
类型:发明
国别省市:
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