【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及单晶基板的断开方法。
技术介绍
1、以往,如图1所示,在将sic、si等具有解理性的单晶基板1断开而制造半导体装置时,单晶基板1在刻划面3贴附有具有粘着性的切割带9(晶圆固定带),单晶基板1的相反的断裂面2被没有粘着性(包括微粘着性在内)的保护膜10保护。也就是,成为表面的保护膜10侧的单晶基板1为未被约束的状态。
2、以将贴附有切割带9的刻划面3侧设为背面而与断裂工作台11接触的方式载置单晶基板1。利用在断裂工作台11的下方配置的相机12检测形成于单晶基板1的刻划线l。
3、从成为与该刻划线l对置的正背侧的表面侧的断裂面2使在前端设置有刃14的断裂板13下降而与单晶基板1抵接,进而向下方压入,由此赋予外力而将单晶基板1断裂。例如,在专利文献1、2等公开了将基板断开的技术。
4、专利文献1针对具有相对于表面倾斜的结晶方向的晶圆,沿着表面的切割线利用刃将晶圆顶起而形成裂纹由此进行均匀的断开。即,专利文献1的目的在于,在晶圆的碎裂方法以及其装置中,在将具有相对于表面倾斜的结晶方向的晶圆倾斜地
...【技术保护点】
1.一种单晶基板的断开方法,所述单晶基板具有相对于刻划面以及断裂面倾斜的解理面,其中,
2.根据权利要求1所述的单晶基板的断开方法,其中,
3.根据权利要求1所述的单晶基板的断开方法,其中,
4.根据权利要求3所述的单晶基板的断开方法,其中,
5.根据权利要求3所述的单晶基板的断开方法,其中,
6.根据权利要求5所述的单晶基板的断开方法,其中,
7.根据权利要求5所述的单晶基板的断开方法,其中,
8.根据权利要求5所述的单晶基板的断开方法,其中,
9.根据权利要求1所述的单
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种单晶基板的断开方法,所述单晶基板具有相对于刻划面以及断裂面倾斜的解理面,其中,
2.根据权利要求1所述的单晶基板的断开方法,其中,
3.根据权利要求1所述的单晶基板的断开方法,其中,
4.根据权利要求3所述的单晶基板的断开方法,其中,
5.根据权利要求3所述的单晶基板的断开方法,其中,
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:木山直哉,北市充,森亮,武田真和,
申请(专利权)人:三星钻石工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。