【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种gan hemt器件的制造方法，更具体地说，涉及一种通过热自分裂工艺制造gan hemt器件的方法，该方法在使用昂贵的sic晶片作为gan生长的种子衬底时能够实现成本创新。
技术介绍
1、gan hemt功率半导体是一种典型的非存储型半导体。
2、对高质量、高性能功率半导体的研究正在加速进行，以便即使在高压、大电流和高温环境下也能实现稳定运行。
3、硅(si)生长衬底一直主要用于功率半导体的生产，但随着对高性能功率半导体需求的增加，以碳化硅(sic)或氮化镓(gan)为生长衬底的功率半导体的研发正在不断扩展。
4、由于同质材料氮化镓(gan)或氮化铝(aln)的生长衬底制造技术尚未商业化，ganhemt功率半导体器件是在异质材料si或sic生长衬底上生长制造的。
5、在sic生长衬底上生长的gan hemt功率半导体器件具有相似的晶格常数和热膨胀系数，因此包括位错在内的晶体缺陷密度低，极性均匀，能够实现高质量制造。然而，sic生长衬底存在成本高昂的问题。
6、...
【技术保护点】
1.一种通过热自分裂工艺制造GaN HEMT器件的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在从所述上临时衬底接合步骤的接合温度的冷却工艺期间，在无需外力的情况下执行所述种子区域分离步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述上临时衬底接合步骤的接合温度为100℃至350℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述种子区域分离步骤中，以所述改性层为边界的两侧具有结构不对称性以及热特性的定量差异，从而通过在所述改性层中形成的热应力或机械应力在无需外力的情况下被分离。
5.根据权利要求2所述的方...
【技术特征摘要】
1.一种通过热自分裂工艺制造gan hemt器件的方法，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在从所述上临时衬底接合步骤的接合温度的冷却工艺期间，在无需外力的情况下执行所述种子区域分离步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述上临时衬底接合步骤的接合温度为100℃至350℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述种子区域分离步骤中，以所述改性层为边界的两侧具有结构不对称性以及热特性的定量差异，从而通过在所述改性层中形成的热应力或机械应力在无需外力的情况下被分离。
5.根据权利要求2所述的方...
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