高纯材料提纯的方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯材料提纯的方法。所述方法包括：将固态或液态的含杂质的材料转变成气态原子或原子团簇；将所述气态原子或原子团簇的电离成带电离子；对所述带电离子施加第一电场和第一磁场，以将所述带电离子而形成准直的离子束；对准直的离子束施加第二磁场，以使所述离子束中的杂质离子和材料离子相互分离；在与杂质离子分离的离子束的运动路径上施加第二电场，以将所述离子束的运动速度减速至第二速度，并收集所述离子束中的材料离子，从而获得高纯材料。本发明专利技术提供的高纯材料提纯的方法，工艺流程简单、成本更低且得到的材料纯度可达7N、8N甚至更高的纯度，在科研和生产领域有着重要的意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术特别涉及一种高纯材料提纯的方法，属于材料提纯。

技术介绍

1、高纯材料在很多科研应用和生产领域有着重要的作用，尤其是半导体行业分子束外延(mbe)设备，对材料纯度要求非常高。常见的高纯材料一般可达4n(纯度99.99％)级别，采用电解精炼法制取，还有结晶法、定向凝固法、区域熔炼法、化学法、高温蒸馏法等任一种方法或者多种方法结合使用，现有的提纯方法可以制备5n(纯度99.999％)或6n(纯度99.9999％)级别的超高纯材料，但代价较大，成本很高，若要继续提高材料纯度到7n(99.99999％)或8n(99.999999％)的级别，其工艺难度很高且成本昂贵，而材料纯度对外延薄膜的制备非常重要，因此，需要新的方法解决现有材料提纯方法存在的弊端。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于提供一种高纯材料提纯的方法，从而克服现有技术中的不足。

2、为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：

3、本专利技术一方面提供了一种高纯材料提纯的方法，包括：</p>

4、将待本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯材料提纯的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高纯材料提纯的方法，其特征在于，具体包括：采用电加热蒸发裂解、射频加热蒸发裂解、激光脉冲蒸发裂解、微波加热蒸发裂解、电喷雾中的至少一种方式将固态或液态的材料转变成气态原子或原子团簇。

3.根据权利要求1所述的高纯材料提纯的方法，其特征在于，具体包括：采用高压电子束轰击、电子回旋共振、电弧放电、高频放电、射频电离、微波电离、正离子轰击、原子束轰击、化学电离、激光光致电离、电喷雾电离中的至少一种方式将所述气态原子或原子团簇的电离成带电离子。

4.根据权利要求1所述的高纯材料提纯的方法，...

【技术特征摘要】

1.一种高纯材料提纯的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高纯材料提纯的方法，其特征在于，具体包括：采用电加热蒸发裂解、射频加热蒸发裂解、激光脉冲蒸发裂解、微波加热蒸发裂解、电喷雾中的至少一种方式将固态或液态的材料转变成气态原子或原子团簇。

3.根据权利要求1所述的高纯材料提纯的方法，其特征在于，具体包括：采用高压电子束轰击、电子回旋共振、电弧放电、高频放电、射频电离、微波电离、正离子轰击、原子束轰击、化学电离、激光光致电离、电喷雾电离中的至少一种方式将所述气态原子或原子团簇的电离成带电离子。

4.根据权利要求1所述的高纯材料提纯的方法，其特征在于：所述第一电场用于将所述带电离子的运动速度加速至第一速度，所述第一磁场用于约束所述带电离子的运动轨迹而形成沿所述指定方向运动的离子束。

5.根据权利要求1或4所述的高纯材料提纯的方法，其特征在于：多个所述带电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庶民，翟勇鹏，薛聪，王新，
申请(专利权)人：埃特曼苏州半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：