【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种外延生长用托盘装置，属于半导体制造设备。
技术介绍
1、外延生长法是一种常用的半导体材料生长方法，它可以在晶体表面上沉积出高质量的半导体材料，这种方法的原理是在晶体表面上沉积一层原子，然后让这层原子自发地扩散到晶体表面上，形成一个新的晶体层，这个过程可以重复进行，从而形成一个完整的半导体晶体。外延生长法的优点是可以在晶体表面上沉积出高质量的半导体材料，而且可以控制晶体的厚度和形状。主要用于制造各种半导体器件，如led、激光器、太阳能电池等。外延生长法有几种不同的实现方式，其中比较常用的是金属有机化学气相沉积法(mocvd)和分子束外延法(mbe)。
2、金属有机化学气相沉积(mocvd)、分子束外延(mbe)是半导体外延领域两个非常重要的方式，而其外延质量跟外延的均匀性有很大关系，目前分子束外延(mbe)和金属有机化学气相沉积(mocvd)在外延时都能通过改善晶圆托盘转动方式来提高外延均匀性，当反应气体接触到高速旋转的托盘时，由于固气界面的粘性力，便产生了一种离心泵的效应，在离心力作用下，反应气体沿托盘的径向被...
【技术保护点】
1.一种外延生长用托盘装置，其特征在于，包括：托盘主体、中心齿轮和载物齿盘，所述托盘主体设有第一安装槽和第二安装槽，所述中心齿轮设置在所述第一安装槽内，所述载物齿盘设置在所述第二安装槽内，所述托盘主体可绕第一轴线转动，所述中心齿轮可绕第二轴线转动，所述载物齿盘设有容纳晶圆的晶圆槽，所述载物齿盘与所述中心齿轮相啮合，以使得在所述中心齿轮转动时可带动所述载物齿盘在所述第二安装槽内转动。
2.根据权利要求1所述一种外延生长用托盘装置，其特征在于：所述载物齿盘设有多个，多个所述载物齿盘沿所述中心齿轮的周向均匀分布。
3.根据权利要求2所述一种外延生长用...
【技术特征摘要】
1.一种外延生长用托盘装置，其特征在于，包括：托盘主体、中心齿轮和载物齿盘，所述托盘主体设有第一安装槽和第二安装槽，所述中心齿轮设置在所述第一安装槽内，所述载物齿盘设置在所述第二安装槽内，所述托盘主体可绕第一轴线转动，所述中心齿轮可绕第二轴线转动，所述载物齿盘设有容纳晶圆的晶圆槽，所述载物齿盘与所述中心齿轮相啮合，以使得在所述中心齿轮转动时可带动所述载物齿盘在所述第二安装槽内转动。
2.根据权利要求1所述一种外延生长用托盘装置，其特征在于：所述载物齿盘设有多个，多个所述载物齿盘沿所述中心齿轮的周向均匀分布。
3.根据权利要求2所述一种外延生长用托盘装置，其特征在于：多个所述载物齿盘组合形成多个齿盘组，每个所述齿盘组所包含的多个载物齿盘的圆心位于一圆周上，多个所述齿盘组沿所述圆周的径向方向间隔设置，所述圆周的圆心与所述中心齿轮的圆心同轴设置，相邻两个所述齿盘组中的载物齿盘相互啮合。
4.根据权利要求3所述一种外延生长用托盘装置，其特征在于：所述第一安装槽与所述托盘主体同轴设置。
5.根据权利要求1所述一种外延生长用托盘装置，其特征在于：所述晶圆槽设有多个，多个所述晶圆槽在所述载物齿盘上均匀阵列分布。
6.根据权利要求1所述一种外延生长用托盘装置，其特征在于：所述晶圆槽为沿选定方向贯通所述载物齿盘的通槽结构，所述晶圆槽内壁设有环形凸台，所述环形凸台用于支撑所述晶圆的边缘处。
7.根据权利要求1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟勇鹏，王新，杨刚，顾俊，
申请(专利权)人：埃特曼苏州半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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