一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管制造技术

本技术是一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，通过改变传统的石英管材质及内侧镀层的方式，在改善径向温度梯度的同时可降低生产能耗，节约生产成本。包括不透明石英管体和镀在不透明石英管体内壁上的镜面银膜镀层。可使石墨感应发热产生的热量反射回热场内部，改善SiC晶体生长过程中径向温度梯度过大的问题；同时可有效降低系统通过石英筒辐射散失的热量，实现节约功耗、降低成本的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及的是一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，属于碳化硅感应炉。

技术介绍

1、碳化硅作为第三代半导体材料，因为其禁带宽度大、击穿电场高、高饱和电子漂移速度、高热导率和抗辐射率等优势在高温高频及大功率器件方面有着越来越广泛地应用。

2、制备碳化硅衬底使用的sic单晶最主要的方法为物理气相传输法（pvt法），其中感应加热法是目前国内外生长sic晶体的主流工艺。感应法通过坩埚外部的感应线圈对内部磁场进行加热，热场径向的温度梯度较大。感应线圈与坩埚之间相隔石英管、保温层等，距离较远，辐射面积分散，外部石墨温度高，中心温度低，从而导致碳化硅粉料受热不均，影响晶体品质。

3、现有技术传统石英管在使用感应法生长碳化硅晶体中仅起到了隔绝感应线圈与长晶气氛的作用，具有一定局限性。具体的，现有技术传统石英管采用传统透明石英，发射率较低，sic晶体生长过程中径向温度梯度过大，热导率较大，热量向环境的散失较大。

技术实现思路

1、本技术提出的是一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其目的旨在克服现有技术存在的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其特征在于，由不透明石英管体（1）和镀在不透明石英管体（1）内壁上的镜面银膜镀层（2）组成。

2.如权利要求1所述的一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其特征在于，所述的不透明石英管体（1）为黑色不透明石英管体。

3.如权利要求1或2所述的一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其特征在于，所述的镜面银膜镀层（2）由若干条沿不透明石英管体（1）内壁长度方向轴向间隔设置的条状镀膜单元组成。

4.如权利要求3所述的一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其特征在于，所述的不透明石英管体（1）内径400mm，条状镀膜单元宽度为50mm...

【技术特征摘要】

1.一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其特征在于，由不透明石英管体（1）和镀在不透明石英管体（1）内壁上的镜面银膜镀层（2）组成。

2.如权利要求1所述的一种用于碳化硅感应炉的镀层石英管，其特征在于，所述的不透明石英管体（1）为黑色不透明石英管体。

3.如权利要求1或2所述的一种用于碳化...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡动力，彭亦奇，胡润光，李扬，
申请(专利权)人：连科半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：