一种单晶硅籽晶的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种单晶硅籽晶的清洗方法。单晶硅籽晶的清洗方法包括：对所述单晶硅籽晶依次进行酸洗、漂洗和超声清洗；其中，所述酸洗采用的酸为硝酸、氢氟酸和乙酸的混合酸，氢氟酸：乙酸：硝酸的质量比例为1：(2.5‑3.5)：(6‑12)。本发明专利技术的清洗方法具有表面清洁度高、金属杂质去除量高、使用寿命长和清洗时间短等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能发电用单晶硅制造，特别涉及一种单晶硅籽晶的清洗方法。

技术介绍

1、籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长单晶的种子，也叫晶种，用不同晶向的籽晶做晶种，会获得不同晶向的单晶。籽晶具有高强度、高硬度、高耐热性、耐腐蚀性等特点。单晶硅籽晶的制备是直拉单晶技术的关键因素之一，单晶硅籽晶在使用时要求籽晶无明显缺陷，且表面氧化层及杂质要清洗干净。

2、单晶硅籽晶的清洗是单晶硅籽晶制备的关键环节之一，籽晶上的污染物有氧化层、金属离子、浆料等有机物。籽晶通过切割加工后，表面会存在大量的杂质污染，需要经过酸清洗环节加以清除，籽晶在切割加工齐整通常不会产生凸起或者凹坑的，通常是在清洗环节使得籽晶表面产生凹凸不平影响籽晶的使用寿命，而且传统的籽晶清洗方法通常需要在强酸或强碱中浸泡很长时间。所以籽晶的清洗成为直拉法单晶硅制备技术的关键内容。在单晶硅籽晶清洗时如何实现单晶硅籽晶的快速清洗并且提高籽晶的使用寿命是目前急需解决的问题。

3、目前单晶硅籽晶采用清洗工艺主要有：(1)乙醇12h+表面活性剂超声5min+spm5min+sc本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：对所述单晶硅籽晶依次进行酸洗、漂洗和超声清洗；其中，所述酸洗采用的酸为硝酸、氢氟酸和乙酸的混合酸，氢氟酸：乙酸：硝酸的质量比例为1：(2.5-3.5)：(6-12)。

2.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，酸洗的时间为13-18min。

4.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，所述漂洗采用的漂洗剂为水；和/或

5.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗的电流I满足：...

【技术特征摘要】

1.一种单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：对所述单晶硅籽晶依次进行酸洗、漂洗和超声清洗；其中，所述酸洗采用的酸为硝酸、氢氟酸和乙酸的混合酸，氢氟酸：乙酸：硝酸的质量比例为1：(2.5-3.5)：(6-12)。

2.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，酸洗的时间为13-18min。

4.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，所述漂洗采用的漂洗剂为水；和/或

5.如权利要求1所述的单晶硅籽晶的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗的电流i满足：2a≤...

【专利技术属性】
技术研发人员：武俊霞，马玉花，陈奕峰，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：