一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置制造方法及图纸

本技术提供了一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，包括：PE桶盖和石墨坩埚盖，所述PE桶盖的顶部安装有密封圈，所述密封圈的左右两端外侧设置有压紧固定装置，所述PE桶盖的顶端开设有第一通孔，所述石墨坩埚盖的顶端开设有第二通孔，所述PE桶盖与所述石墨坩埚盖之间设置有PE膜袋。该种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，可以起到防止碳化硅发散则造成减损，提高利用率，避免外部灰尘细菌进入物料内部，对碳化硅纯净度造成影响的作用，实现无尘化装料。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及碳化硅合成，更具体地说，涉及一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置。

技术介绍

1、要使用pvt法得到高质量的sic晶体，必须采用高纯度的原材料，在pvt法使用的多种不同原料中，sic源粉由于对sic晶体质量产生直接影响，同晶体生长最适温度、生长速率、掺杂手段等一起成为晶体制备的重要一环，pvt法生长中，作为sic粉源的氮含量将直接影响单晶的质量与电学性质，一般生长碳化硅晶体所用源粉由硅和碳直接反应得到，制备的碳化硅源粉颗粒为微米级，这么小的晶粒尺寸一方面容易吸附气体对晶体纯度造成影响，另一方面对晶体的质量造成影响，另外由于硅料颗粒比较细，尤其是碳粉颗粒，扬尘比较大，严重影响产品质量及人的身心健康，因此，无尘化装料就显得极其重要，目前碳化硅在装料过程中，易产生粉尘，导致工人工作环境恶劣，同时散发的粉尘也会对环境造成破坏，合成的碳化硅发散则造成减损，降低利用率，同时外部灰尘细菌进入物料内部，对碳化硅纯净度造成影响。

2、本技术可以起到防止碳化硅发散则造成减损，提高利用率，避免外部灰尘细菌进入物料内部，对碳化硅纯净度造成影响的作用，实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，包括：PE桶盖(1)和石墨坩埚盖(3)，其特征在于：所述PE桶盖(1)的顶部安装有密封圈(4)，所述密封圈(4)的左右两端外侧设置有压紧固定装置(5)，所述PE桶盖(1)的顶端开设有第一通孔(7)，所述石墨坩埚盖(3)的顶端开设有第二通孔(8)，所述PE桶盖(1)与所述石墨坩埚盖(3)之间设置有PE膜袋(2)。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，其特征在于：所述PE桶盖(1)的外顶部圆周设置有第一导角，所述第一导角与所述PE桶盖(1)的顶部盖壁及下部环壁均为平滑连接，所述PE桶盖(1)的下部环壁的外...

【技术特征摘要】

1.一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，包括：pe桶盖(1)和石墨坩埚盖(3)，其特征在于：所述pe桶盖(1)的顶部安装有密封圈(4)，所述密封圈(4)的左右两端外侧设置有压紧固定装置(5)，所述pe桶盖(1)的顶端开设有第一通孔(7)，所述石墨坩埚盖(3)的顶端开设有第二通孔(8)，所述pe桶盖(1)与所述石墨坩埚盖(3)之间设置有pe膜袋(2)。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，其特征在于：所述pe桶盖(1)的外顶部圆周设置有第一导角，所述第一导角与所述pe桶盖(1)的顶部盖壁及下部环壁均为平滑连接，所述pe桶盖(1)的下部环壁的外径为160mm，所述pe桶盖(1)的壁厚均为14mm，所述第一通孔(7)的内壁光滑，口径为80mm。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体级碳化硅合成无尘装料的装置，其特征在于：所述pe膜袋(2)为开口贯穿无底的圆环袋，厚度为80um，袋环直径可为80mm-85mm，所述pe膜袋(2)的开口处袋环直径大于中部袋环直径，所述pe膜袋(2)与所述pe桶盖(1)连接的开口直径为90...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡润光，李奕铭，胡动力，王人松，
申请(专利权)人：连科半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：