【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成光子及耦合封装，特别是涉及一种端面耦合器结构、端面耦合器封装结构及其封装方法。
技术介绍
1、硅基光电子芯片凭借与互补金属氧化物半导体(cmos)工艺的兼容性，在高速光通信、片上传感及光子计算等领域展现出显著的规模化应用潜力，成为当前微纳光电子领域的研究焦点。光学耦合作为连接芯片集成光路与光纤的关键界面，其效率与可靠性直接决定了硅光芯片的工程化价值。其中，波导端面耦合技术因具备结构紧凑、偏振无关、宽光谱响应及工艺兼容性强等优势，成为实现芯片-光纤高效互连的主流技术路径。悬臂梁端面耦合器是其中一种端面耦合结构，具有大模场、封装对准容差大等优势，但悬臂梁端面耦合器的封装存在悬臂梁波导脆弱、端面磨抛困难等问题，为悬臂梁端面耦合器的光学封装带来了极大的挑战。
2、芯片加工时会在前缘加工有划片道(就是深刻蚀沟槽)，这样划片过程中，沿着沟槽划开，以避免碰到端面耦合器。常规情况下必须对划片道进行磨抛，才能使得光纤阵列和芯片端面无缝对接。但是悬臂梁耦合器，因为是悬空结构，磨抛过程中，很容易造成端面耦合器破坏。现有的悬臂梁端...
【技术保护点】
1.一种端面耦合器结构，其特征在于：包括光纤阵列结构、芯片和压盖，其中：
2.根据权利要求1所述的端面耦合器结构，其特征在于：各所述待耦合段与对应的所述定位槽的两个内侧壁接触时，各所述待耦合段的纤芯轴线与对应的所述端面耦合器的波导中心偏差≤2μm。
3.根据权利要求1所述的端面耦合器结构，其特征在于：各所述定位槽的两个内侧壁均为倾斜平面，各所述倾斜平面相对于所述第一表面倾斜设置，各所述定位槽的开口端的宽度大于对应的所述定位槽的底端的宽度。
4.根据权利要求3所述的端面耦合器结构，其特征在于：各所述定位槽的所述倾斜平面的下边沿至所述第...
【技术特征摘要】
1.一种端面耦合器结构，其特征在于：包括光纤阵列结构、芯片和压盖，其中：
2.根据权利要求1所述的端面耦合器结构，其特征在于：各所述待耦合段与对应的所述定位槽的两个内侧壁接触时，各所述待耦合段的纤芯轴线与对应的所述端面耦合器的波导中心偏差≤2μm。
3.根据权利要求1所述的端面耦合器结构，其特征在于：各所述定位槽的两个内侧壁均为倾斜平面，各所述倾斜平面相对于所述第一表面倾斜设置，各所述定位槽的开口端的宽度大于对应的所述定位槽的底端的宽度。
4.根据权利要求3所述的端面耦合器结构，其特征在于：各所述定位槽的所述倾斜平面的下边沿至所述第一表面的垂直距离与各所述定位槽的开口宽度的比值≤1:2。
5.一种端面耦合器封装结构，其特征在于：包括上盖板、下盖板和权利要求1～4中任意一项所述的端面耦合器结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：余华，葛邦同，金伟锋，荣根旺，蒋平，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：
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