【技术实现步骤摘要】
本申请涉及温度传感器，尤其涉及一种温度传感器及其制备方法。
技术介绍
1、对温度的精确测量，尤其在宽温区和极端条件下，对工业生产和基础研究具有重要意义。目前，常用的温度传感器通常是基于材料的电阻变温曲线，如zrn、ruo2等材料制成的温度传感器。
2、然而，相关技术中的温度传感器电阻受磁场影响较大，且温度测试精度较低。
技术实现思路
1、本申请提供了一种温度传感器及其制备方法，以提升温度传感器的检测灵敏度。
2、本申请提供了一种温度传感器，包括衬底、温度敏感膜和电极，所述温度敏感膜设置于所述衬底的一侧，所述电极设置于所述温度敏感膜背离所述衬底的一侧；
3、所述温度敏感膜包括氮化铬薄膜。
4、在一些可能的实施方式中，所述氮化铬薄膜的厚度h为，1nm≤h≤1mm；
5、和/或，所述氮化铬薄膜中氮的摩尔百分比n为，0≤n≤50%。
6、在一些可能的实施方式中，所述电极配置有第一侧边和第二侧边，所述第一侧边的长度m大于所述第二
【技术保护点】
1.一种温度传感器，其特征在于，包括衬底（100）、温度敏感膜和电极（310），所述温度敏感膜设置于所述衬底（100）的一侧，所述电极（310）设置于所述温度敏感膜背离所述衬底（100）的一侧；
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述氮化铬薄膜（210）的厚度H为，1nm≤H≤1mm；
3.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述电极（310）配置有第一侧边（311）和第二侧边（312），所述第一侧边（311）的长度M大于所述第二侧边（312）的长度N。
4.根据权利要求3所述的温度传感器，其特征在于，所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种温度传感器，其特征在于，包括衬底（100）、温度敏感膜和电极（310），所述温度敏感膜设置于所述衬底（100）的一侧，所述电极（310）设置于所述温度敏感膜背离所述衬底（100）的一侧；
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述氮化铬薄膜（210）的厚度h为，1nm≤h≤1mm；
3.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述电极（310）配置有第一侧边（311）和第二侧边（312），所述第一侧边（311）的长度m大于所述第二侧边（312）的长度n。
4.根据权利要求3所述的温度传感器，其特征在于，所述第一侧边（311）的长度m设置为，10nm≤m≤10mm；
5.一种温度传感器制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至4任一项所述的温度传感器，所述温度...
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