【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设计制造，具体涉及到精确测量半导体芯片内掺杂深度的装置。
技术介绍
1、众所周知，本征半导体硅并没有电学性质，需要在其内掺入微量元素，如铝、硼、磷、镓、砷等元素，形成pn结或p、n沟道，改变其电学性质，使其具备了电学性能，形成了功能强大的半导体集成电路芯片。
2、半导体芯片发展趋势是面积越来越大，内部集成的电子元器件越来越多，芯片越来越薄，所以掺杂的微量元素线条越来越精细，掺杂深度越来越浅，掺杂的剂量必须符合预定的设计要求，否则不能实现电路的设计功能。
3、现有技术的测量结深方法是：用一块长方体不锈钢块通过热蜡作为粘合剂，冷却后将芯片和不锈钢块粘合在一起，加入少许研磨膏在平滑的研磨盘来回研磨，磨出新断面，清洗干净后烘干，为防止氧化层在断面层上，立即在新断面上涂抹一层cuso4溶液，由于半导体芯片新磨面层内含有不同的p、n型电荷，通过电解化学反应作用原理，将cu2+离子还原为cu原子覆盖在p型层表面上，显示红色，其它区域则显示灰色，通过在高倍显微镜下读取红色的宽度，就读取了近似结深的深度，如图1
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【技术保护点】
1.一种半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：包括磨角头及其附属件和研磨盘装置；其中磨角头及其附属件包括：磨角头（1）、压力块（2）、水平器（3）、提手（4）；研磨盘装置包括：研磨盘（5）、围档（6）、复位皮筋（7）、固定弹簧（8）、最下端是使研磨盘装置产生水平振荡的圆周运动装置（9）。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：所述磨角头（1）为圆柱状，在底部直径处加工了一个5°的斜角，在上表面中心处加工深陷式螺纹A（12）。
3.根据权利要求书1所述的半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：所述压力...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：包括磨角头及其附属件和研磨盘装置；其中磨角头及其附属件包括：磨角头（1）、压力块（2）、水平器（3）、提手（4）；研磨盘装置包括：研磨盘（5）、围档（6）、复位皮筋（7）、固定弹簧（8）、最下端是使研磨盘装置产生水平振荡的圆周运动装置（9）。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：所述磨角头（1）为圆柱状，在底部直径处加工了一个5°的斜角，在上表面中心处加工深陷式螺纹a（12）。
3.根据权利要求书1所述的半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：所述压力块（2）为圆柱状，圆柱状的直径比磨角头的直径大2±0.1cm，下端中心处连接一个凸起式螺纹（21），与磨角头（1）深陷式螺纹a（12）相配合，长度比磨角头深陷式螺纹a（12）深度浅，旋紧时压力块（2）的下表面与磨角头（1）上表面紧接触；上表面中心处也加工深陷式螺纹b（24）。
4.根据权利要求书1所述的半导体芯片小角度高精度研磨结深装置，其特征是：所述水平器（3）为圆环状，内圆径（32）与压力块的外径（23）相配适配，高度小于磨角头（1）和压力块（2）旋紧在一起的高度，在下端加工出6-8个“窑洞”式的缺口（35），直径1±0.1cm，高度2±0.1cm，...
【专利技术属性】
技术研发人员：高山城，张磊，范晓波，陈剑锋，张刚琦，
申请(专利权)人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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