一种匹配电容结构及制备方法、内匹配电路、电子设备技术

本申请提供一种匹配电容结构及制备方法、内匹配电路、电子设备，匹配电容结构包括：基底层、第一电极层、介质层、第二电极层和导电引出层；第一电极层位于基底层之上；介质层位于第一电极层之上；第二电极层位于介质层之上，第二电极层与第一电极层的一部分重叠，且由介质层隔开；以及，导电引出层位于基底层背离第一电极层的一侧；基底层包括过孔，导电引出层通过过孔连接至第一电极层中未与第二电极层重叠的部位。本申请可以在过孔刻蚀中减小对第一电极层与第二电极层重叠的部分造成损害，减少第一电极层和第二电极层出现漏电、短路的情况，以提高过孔刻蚀后第一电极层和第二电极层重叠部分的质量和可靠性，从而提高匹配电容结构的质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片制造封装，尤其涉及一种匹配电容结构及制备方法、内匹配电路、电子设备。

技术介绍

1、在第五代移动通信技术((5th-generation，5g))中的信号传输和频率筛选方面，基于金属绝缘体金属型(metal-insulator-metal，mim)电容器在5g通信中起着至关重要的作用。

2、mim电容器是一种金属和绝缘体交替堆叠形成的结构，包括交替堆叠设置于基底层上的下电极、介质层和上电极。目前通过对基底层进行操作使得下电极接地并且导电，但这种操作容易对下电极造成损害，导致下电极和上电极之间出现漏电、短路的情况，从而导致电容器的质量有待提高。

技术实现思路

1、本申请提供一种匹配电容结构及制备方法、内匹配电路、电子设备，用于解决匹配电容结构由于容易出现漏电、短路，从而导致匹配电容结构质量有待提高的问题。

2、第一方面，提供一种匹配电容结构，包括基底层、第一电极层、介质层、第二电极层和导电引出层；第一电极层位于所述基底层之上；介质层位于所述第一电极层之上；第二电极层位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种匹配电容结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的匹配电容结构，其特征在于，还包括位于所述基底层与所述第一电极层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层上开设有与所述过孔相连通的开口，所述第一电极层位于所述开口内的部位与所述导电引出层连接。

3.根据权利要求2所述的匹配电容结构，其特征在于，所述开口靠近所述基底层一端的面积，大于所述过孔靠近所述第一电极层一端的面积。

4.根据权利要求2或3所述的匹配电容结构，其特征在于，所述第一绝缘层包括超出所述第一电极层的边界的第一延伸部，所述介质层包括超出所述第一电极层的边界的第二延伸部，所述第二电极层包括...

【技术特征摘要】

1.一种匹配电容结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的匹配电容结构，其特征在于，还包括位于所述基底层与所述第一电极层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层上开设有与所述过孔相连通的开口，所述第一电极层位于所述开口内的部位与所述导电引出层连接。

3.根据权利要求2所述的匹配电容结构，其特征在于，所述开口靠近所述基底层一端的面积，大于所述过孔靠近所述第一电极层一端的面积。

4.根据权利要求2或3所述的匹配电容结构，其特征在于，所述第一绝缘层包括超出所述第一电极层的边界的第一延伸部，所述介质层包括超出所述第一电极层的边界的第二延伸部，所述第二电极层包括超出所述第一电极层的边界的第三延伸部，所述第二延伸部位于所述第一延伸部与所述第三延伸部之间。

5.根据权利要求4所述的匹配电容结构，其特征在于，所述第二延伸部背离所述基底层的表面到所述基底层的距离，小于所述第一电极层背离所述基底层的表面到所述基底层的距离。

6.根据权利要求1-5任一项所述的匹配电容结构，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1-6任一项所述的匹配电容结构，其特征在于，所述基底层的材料包括si。

【专利技术属性】
技术研发人员：张国锋，李水明，李鹏，祝玮，陆安，魏星，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：