【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种硅通孔互连结构的制备方法。
技术介绍
1、相关技术中，硅通孔技术中通常使用较厚的硅片(厚度大于100μm)，虽然在某些场景下可能提供机械稳定性，但是较厚的基板由于垂直散热路径延长，增加了热量从堆叠芯片内部传递到散热结构的距离，导致热阻升高，从而加剧局部热点风险。
技术实现思路
1、本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请的一个目的在于提出一种硅通孔互连结构的制备方法，采用两种减薄方式对硅晶圆进行减薄，以得到较薄的硅晶圆，从而缩短了垂直散热路径，进而减少了局部热点风险。
2、为达上述目的，根据本申请实施例提出了一种硅通孔互连结构的制备方法，包括：提供硅晶圆，其中，硅晶圆具有通孔，通孔内填充有导电金属；对硅晶圆的上表面与上载片进行临时键合；基于第一减薄方式对硅晶圆远离上载片的一侧进行减薄，以使减薄后的硅晶圆达到预设厚度；基于第二减薄方式对达到预设厚度的硅晶圆远离上载片的一侧进行减薄，以使减薄后的硅晶圆达到目标厚度，其中，第一...
【技术保护点】
1.一种硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述硅晶圆的上表面与上载片进行临时键合，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述紫外光源的波长范围为300-400nm，所述紫外光源的强度为100-10000mW/cm2。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述键合胶固化后的厚度为1-50μm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一减薄方式的减薄速度为60-300μm/min，所述第二减薄方式的减薄速度为1-60μm/min。
6.根...
【技术特征摘要】
1.一种硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述硅晶圆的上表面与上载片进行临时键合，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述紫外光源的波长范围为300-400nm，所述紫外光源的强度为100-10000mw/cm2。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述键合胶固化后的厚度为1-50μm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一减薄方式的减薄速度为60-300μm/min，所述第二减薄方式的减薄速度为1-60μm/min。
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