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本申请公开了一种硅通孔互连结构的制备方法，其中，硅通孔互连结构的制备方法包括：提供硅晶圆，其中，硅晶圆具有通孔，通孔内填充有导电金属；对硅晶圆的上表面与上载片进行临时键合；基于第一减薄方式对硅晶圆远离上载片的一侧进行减薄，以使减薄后的硅晶圆...
该专利属于甬江实验室所有，仅供学习研究参考，未经过甬江实验室授权不得商用。

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