自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法技术

本公开提供了自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法。该电平移位电路包括：第一交叉耦合电路，被设置有第一晶体管和第二晶体管，其源极被设置成同时连接到第一电源电压，其漏极被设置成分别经由第一隔离器件和第二隔离器件后与对应的第一节点和第二节点连接，其栅极被设置成分别与对应的第二节点和第一节点连接；输入电路，被设置在输出节点与地之间；输入电路被设置有第一输入端和第二输入端以及上下拉电路。本公开的实施例所提供的电平移位电路能够缩短低电压域与高电压域间转换过程中瞬态时间延迟，同时仅消耗纳安级别的静态电流。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及集成电路，具体涉及自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法。

技术介绍

1、随着集成电路工艺尺寸不断缩小，片上系统（system on chip，soc）电路结构逐渐复杂，为了降低电路功耗，最直接有效的方式就是降低电源电压。不同电压域的信号联通一般采用电平移位电路（level shifter，ls），从而满足soc内部的不同电路模块对于不同幅度的电平信号的需求。

2、目前典型的电平移位电路在低压高电平vddl和高压高电平vddh差距较大时，在逻辑电平切换的过程中，致使低压晶体管漏源电压的耐压值被超过，造成晶体管击穿损坏，影响电路正常工作。此外，还存在一些采用电流镜的电平移位电路，通过两个pmos管构成的电流镜替代了交叉耦合电路，由于电流镜结构的存在，当输入端为低电平时，整个电平移位电路会产生较大的静态功耗，因此不满足soc设计低功耗的应用需求。

3、因此，现有技术还有待改进和提高。

4、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自偏置瞬态增强低静态功耗的电平移位电路，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路还被设置有：

3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路还包括：

5.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的电平移位电路，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的电平移位电路，其特征在于，>

9.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种自偏置瞬态增强低静态功耗的电平移位电路，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路还被设置有：

3.根据权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述电平移位电路还包括：

5.根据权利要求1所述的电平移位电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，
申请(专利权)人：上海英达森斯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：