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本公开提供了自偏置、瞬态增强、低静态功耗电平移位电路及控制方法。该电平移位电路包括:第一交叉耦合电路,被设置有第一晶体管和第二晶体管,其源极被设置成同时连接到第一电源电压,其漏极被设置成分别经由第一隔离器件和第二隔离器件后与对应的第一节点和...该专利属于上海英达森斯半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海英达森斯半导体科技有限公司授权不得商用。
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