一种高边PMOS驱动电路、芯片以及电子设备制造技术

本申请提供一种高边PMOS驱动电路、芯片以及电子设备，涉及电源管理芯片技术领域高边PMOS驱动电路包括：逻辑控制电路、第一驱动电路、第二驱动电路、第一放电电路、第二放电电路和高边PMOS管；逻辑控制电路根据使能信号和驱动脉冲信号，输出第一驱动信号并传输至第一驱动电路，输出第二驱动信号并传输至第二驱动电路，驱动脉冲信号的周期根据第二放电回路和高边PMOS管所确定；第一驱动电路根据第一驱动信号驱动第一放电电路，以使第一放电电路为高边PMOS管提供放电路径；第二驱动电路根据第二驱动信号驱动高边PMOS管。基于周期性的第一驱动信号、第二驱动信号，间歇性的开启高边PMOS驱动电路，降低驱动电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电源管理芯片，尤其涉及一种高边pmos驱动电路、芯片以及电子设备。

技术介绍

1、pmos(p-channel metal oxide semiconductor field effect transistor，p型金属-氧化物-半导体)是一种场效应晶体管，通常会被作为开关使用，通过驱动电路驱动pmos管的栅极，以控制pmos管导通或者关断的状态。参见图1，图1为相关技术提供的一种传统pmos驱动电路的电路结构示意图，如图1所示，pmos管(即图1中的mp)作为驱动电路的驱动负载，在电池管理系统(battery management system，bms)的应用场景中，pmos管可以作为开关使用，将pmos管放置在高电压侧，将电池连接在供电电源vdd与地之间，在充电过程中pmos管mp作为预充电开关需要被开启，以实现充电电流由供电电源vdd流向电池，达到向电池充电的功能需求。

2、pmos管的驱动方式有很多，对于供电电源vdd与地之间的电源域为低压域时，例如，供电电源vdd为6v时，可以采用低压逻辑门电路直接驱动pmos管mp的栅极，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高边PMOS驱动电路，其特征在于，所述高边PMOS驱动电路包括：逻辑控制电路、第一驱动电路、第二驱动电路、第一放电电路、第二放电电路和高边PMOS管；

2.根据权利要求1所述的高边PMOS驱动电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：非门、或门以及与门；

3.根据权利要求2所述的高边PMOS驱动电路，其特征在于，所述第一驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一N型晶体管以及第二N型晶体管；

4.根据权利要求3所述的高边PMOS驱动电路，其特征在于，所述第一放电电路包括：第一P型晶体管和第三电阻；

5.根据权利要求4所述的高边PMOS驱动...

【技术特征摘要】

1.一种高边pmos驱动电路，其特征在于，所述高边pmos驱动电路包括：逻辑控制电路、第一驱动电路、第二驱动电路、第一放电电路、第二放电电路和高边pmos管；

2.根据权利要求1所述的高边pmos驱动电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：非门、或门以及与门；

3.根据权利要求2所述的高边pmos驱动电路，其特征在于，所述第一驱动电路包括：第一电阻、第二电阻、第一n型晶体管以及第二n型晶体管；

4.根据权利要求3所述的高边pmos驱动电路，其特征在于，所述第一放电电路包括：第一p型晶体管和第三电阻；

5.根据权利要求4所述的高边pmos驱动电路，其特征在于，所述第二驱动电路包括：第三n型晶体管和第四电阻；

6.根据权利要求5所述的高边pmos驱动电路，其特征在于，所述第二放电电路包括：第五电阻；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨锐，陈进，陈俊宇，何勇杰，
申请(专利权)人：珠海楠欣半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：