一种X电容放电电路和放电方法技术

本发明专利技术提供了一种X电容放电电路和放电方法。X电容放电电路包括：第一放电电路，包括第一开关器件和第一控制电路，第一放电电路耦接在X电容放电电路的第一端和参考地之间，当X电容放电电路的第一端的电压高于X电容放电电路的第二端的电压并持续第一预设时间时，第一控制电路控制第一开关器件导通；以及第二放电电路，包括第二开关器件和第二控制电路，第二放电电路耦接在X电容放电电路的第二端和参考地之间，当X电容放电电路的第二端的电压高于其第一端的电压并持续第二预设时间时，第二控制电路控制第二开关器件导通。本发明专利技术提出的X电容放电电路和放电方法，可以在系统掉电时可靠放电，且在正常工作时不产生损耗，系统效率高且外围电路简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体但不限于涉及一种x电容放电电路和放电方法。

技术介绍

1、在交流转直流(acdc)电源设计领域，通常在电力交流输入信号的两个输入端口之间设置一x电容，用于抑制交流输入信号的差模信号干扰。当acdc电源断电时，x电容上存在的电荷可导致触电风险。因此，往往需要在x电容两端之间并联一电阻，用于在电源断电时为x电容放电。但是采用电阻放电会增加系统在正常工作时的损耗。

2、有鉴于此，需要提供一种新的结构或控制方法，以期解决上述问题。

技术实现思路

1、至少针对
技术介绍
中的一个或多个问题，本专利技术提出了一种x电容放电电路和放电方法。

2、根据本专利技术的一个方面，一种x电容放电电路具有第一端和第二端，其中x电容放电电路的第一端用于耦接x电容的第一端，x电容放电电路的第二端用于耦接x电容的第二端，所述x电容放电电路包括：第一放电电路，包括第一开关器件和第一控制电路，第一开关器件耦接在x电容放电电路的第一端和参考地之间，当x电容放电电路的第一端的电压高于x电容放电电路的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种X电容放电电路，具有第一端和第二端，其中X电容放电电路的第一端用于耦接X电容的第一端，X电容放电电路的第二端用于耦接X电容的第二端，所述X电容放电电路包括：

2.如权利要求1所述的X电容放电电路，其中第一预设时间和第二预设时间均大于交流输入信号的半个周期，其中交流输入信号用于加载在X电容的第一端和第二端之间。

3.如权利要求1所述的X电容放电电路，其中第一预设时间和第二预设时间相等。

4.如权利要求1所述的X电容放电电路，其中第一开关器件包括串联的N型第一JFET(结型场效应管)和N型第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)，第一JFET的...

【技术特征摘要】

1.一种x电容放电电路，具有第一端和第二端，其中x电容放电电路的第一端用于耦接x电容的第一端，x电容放电电路的第二端用于耦接x电容的第二端，所述x电容放电电路包括：

2.如权利要求1所述的x电容放电电路，其中第一预设时间和第二预设时间均大于交流输入信号的半个周期，其中交流输入信号用于加载在x电容的第一端和第二端之间。

3.如权利要求1所述的x电容放电电路，其中第一预设时间和第二预设时间相等。

4.如权利要求1所述的x电容放电电路，其中第一开关器件包括串联的n型第一jfet(结型场效应管)和n型第一mosfet(金属氧化物半导体场效应管)，第一jfet的漏极耦接x电容放电电路的第一端，第一jfet的栅极耦接参考地，第一jfet的源极耦接第一mosfet的漏极，第一mosfet的源极耦接参考地，第一mosfet的栅极耦接第一控制电路的输出端。

5.如权利要求4所述的x电容放电电路，其中第二开关器件包括串联的n型第二jfet和n型第二mosfet，第二jfet的漏极耦接x电容放电电路的第二端，第二jfet的栅极耦接参考地，第二jfet的源极耦接第二mosfet的漏极，第二mosfet的源极耦接参考地，第二mosfet的栅极耦接第二控制电路的输出端。

6.如权利要求4所述的x电容放电电路，其中第一控制电路的第一输入端耦接第一jfet的源极，第一控制电路的第二输入端耦接参考地。

7.如权利要求1所述的x电容放电电路，其中第一开关器件的体二极管形成参考地至x电容放电电...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞秀峰，
申请(专利权)人：深圳市必易微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：