【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的形成方法和半导体结构。
技术介绍
1、半导体高压（hv，high voltage）工艺是专门用于制造能够承受高电压的集成电路或分立器件的技术，其广泛应用于显示驱动、电力电子、工业控制等领域。hv-cmos的工艺制程是传统cmos的工艺制程向高压的延伸，由于hv-cmos的工艺制程的成本比bcd的工艺制程更低，因此，利用hv-cmos的工艺制程所制备出的产品在市场上更具的竞争力。
2、通常，面对更高的工作电压（一般小于40v），高压器件的栅氧层相应需要更大的厚度，现有技术中，沉积高压器件的栅氧化层时，高压器件的衬底容易在如图1所示的拐角a位置出现边缘变尖的问题，从而影响高压器件的性能，对高压器件的可靠性产生不利影响。
3、鉴于此，需要一种方法减少或消除高压区域中衬底与浅沟槽隔离结构拐角处的尖角，改善高压器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法和半导体结构，改善高压器件的性能，提...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底的预设区域表面形成隔离膜，具体包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述高压栅氧区表面形成第一光刻胶层的方法包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始第一光刻胶层进行修整的工艺包括等离子刻蚀工艺，所述初始第一光刻胶层的材料为负性光刻胶，所述第二光刻胶层的材料为正性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底的预设区域表面形成隔离膜，具体包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述高压栅氧区表面形成第一光刻胶层的方法包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始第一光刻胶层进行修整的工艺包括等离子刻蚀工艺，所述初始第一光刻胶层的材料为负性光刻胶，所述第二光刻胶层的材料为正性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的顶部相对所述衬底的表面凸起。
6.根据权利要求1所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉堂，汪维金，李望，王子健，谢静怡，蒋小涵，
申请(专利权)人：广州增芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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