温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构的形成方法和半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底包括高压栅氧区和高压源漏区，高压源漏区位于高压栅氧区的两侧，高压栅氧区与高压源漏区之间具有浅沟槽隔离结构；在衬底的预设区域表面形成隔离膜，隔离膜暴露出高压栅氧区；在高压栅氧区表面...
该专利属于广州增芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州增芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。