【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无介质全息光学元件，更具体地说，本专利技术涉及基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件加工工艺以及无介质全息光学元件。
技术介绍
1、在当前无介质全息光学元件的发展中，导电抗静电层被广泛应用于防止表面电荷积聚，以维持元件在长时间运行或高尘环境中的光学稳定性；
2、然而随着元件向高集成度、亚波长结构精度方向演进，传统导电层（如掺杂ito或石墨烯膜）在实际使用过程中暴露出一个尚未被识别的结构电耦合隐患：当导电层与下层全息图样结构在微纳尺度下形成局部微电容结构后，若外界静电荷连续叠加，则这些区域会演化出具有准共振特征的电势闭环区；
3、这种闭环在特定场强下会诱发周期性电场脉动，直接影响光场的局部透射与反射行为，表现为衍射图样的闪跃、图像漂移或瞬态失焦等不可预测的光学失稳现象；
4、更为严重的是，该光学静电共振态具有正反馈特性：初始微弱共振会促进更多电荷聚集，迅速形成大范围同步扰动，数秒内可破坏整个全息编码层的相位完整性；
5、现有的抗静电设计主要依赖面电阻调节和电荷耗散层构建，忽视了电...
【技术保护点】
1.基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于，所述光学元件依次包括以下三层结构：
2.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的基于研磨...
【技术特征摘要】
1.基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于，所述光学元件依次包括以下三层结构：
2.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的基于研磨抛光参数的无介质全息光学元件，其特征在于：
【专利技术属性】
技术研发人员：王侃，张兵，李俊，
申请(专利权)人：江西像航科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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