一种BCD工艺集成SGT的半导体器件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种BCD工艺集成SGT的半导体器件及制造方法。本发明专利技术提供了三种集成方案，一种是将SGT器件与高压LDMOS器件集成，并通过深槽隔离将SGT与高压LDMOS相互隔离；一种是将SGT器件与高压耗尽型LDMOS器件集成，并通过深槽隔离将SGT器件与高压耗尽型LDMOS相互隔离；还有一种是将SGT器件、低压LDMOS器件以及NPN晶体管集成，并通过深槽隔离将SGT器件与低压LDMOS和NPN晶体管相互隔离。本发明专利技术通过多次外延设计，利于提高SGT器件的击穿电压，显著降低SGT器件的导通电阻，通过制备P型埋层来提高LDMOS器件的耐压，使得集成后的器件同时具备LDMOS器件栅、源、漏极位于芯片表面易于集成的优势以及SGT器件的高压低阻大电流优势，实现了单芯片集成，降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，涉及一种bcd工艺集成sgt的半导体器件及制造方法。

技术介绍

1、传统的bcd工艺主要为易于集成的横向双扩散金属氧化物半导体ldmos制作，但是存在芯片面积增大、功率密度低、导通电阻大等问题。而sgt器件由于导通电阻低以及高可靠性，基本能够满足智能功率应用，但是对于高电压、大电流的功率需求，sgt器件性能还能进一步优化。目前通常是在两个芯片上分别制造bcd和sgt器件，再通过后续封装将二者整合在一起，采用合封方式就会存在高压互连以及性能匹配度不高的问题，限制了芯片的性能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提出一种bcd工艺集成sgt的半导体器件，通过将ldmos与sgt器件进行集成，充分结合了bcd工艺和sgt器件的优点，利于实现低导通电阻、高耐压、易集成的优势。本专利技术为了实现上述目的，采用如下技术方案：

2、一种bcd工艺集成sgt的半导体器件，包括sgt器件、高压nmos和高压pmos；定义高压nmos为hvnmos，高压pmos为hvpmos；

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【技术保护点】

1.一种BCD工艺集成SGT的半导体器件，包括SGT器件、高压NMOS和高压PMOS；定义高压NMOS为HVNMOS，高压PMOS为HVPMOS；其特征在于，

2.一种BCD工艺集成SGT的半导体器件的制造方法，用于制造如权利要求1所述的BCD工艺集成SGT的半导体器件，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

3.一种BCD工艺集成SGT的半导体器件，包括SGT器件和高压耗尽型NMOS，定义高压耗尽型NMOS为DEPHVNMOS；其特征在于，

4.一种BCD工艺集成SGT的半导体器件的制造方法，用于制造如权利要求3所述的BCD工艺集成SGT的半导体器件...

【技术特征摘要】

1.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件，包括sgt器件、高压nmos和高压pmos；定义高压nmos为hvnmos，高压pmos为hvpmos；其特征在于，

2.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件的制造方法，用于制造如权利要求1所述的bcd工艺集成sgt的半导体器件，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

3.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件，包括sgt器件和高压耗尽型nmos，定义高压耗尽型nmos为dephvnmos；其特征在于，

4.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件的制造方法，用于制造如权利要求3所述的bcd工艺集成sgt的半导体器件，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

5.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件，包括sgt器件、低压nmos、低压pmos以及npn晶体管，定义低压nmos为lvnmos，低压pmos为lvpmos；其特征在于，

6.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件的制造方法，用于制造如权利要求5所述的bcd工艺集成sgt的半导体器件，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

7.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件，包括sgt器件、高压nmos和高压pmos；定义高压nmos为hvnmos，高压pmos为hvpmos；其特征在于，

8.一种bcd工艺集成sgt的半导体器件的制造方法，用于制造如权利要求7所述的bcd工艺集成sgt的半导体器件，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：

9.根据权利要求1、3、5、7任一项所述的bcd工艺集成sgt的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽内部有第一电介质层、分裂栅多晶硅、第二电介质层、栅多晶硅，其中第一电介质层和分裂栅极多晶硅层位于第一沟槽的下端；第二电介质层和栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金平，涂元元，王永刚，
申请(专利权)人：广州智明微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：