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本发明公开了一种BCD工艺集成SGT的半导体器件及制造方法。本发明提供了三种集成方案，一种是将SGT器件与高压LDMOS器件集成，并通过深槽隔离将SGT与高压LDMOS相互隔离；一种是将SGT器件与高压耗尽型LDMOS器件集成，并通过深槽隔...
该专利属于广州智明微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州智明微电子科技有限公司授权不得商用。

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