改善硅残留的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善硅残留的方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上进行刻蚀形成深槽隔离结构的深沟槽；步骤二，进行深槽隔离结构的深沟槽填充工艺，在所述的深沟槽中填充满氧化物；步骤三，去除所述的隔离区硬掩模层，进行一次氧化物的湿法刻蚀工艺，然后再淀积有源区刻蚀的有源区硬掩模层；步骤四，进行所述深沟槽隔离结构外围的浅沟槽隔离结构的刻蚀及形成。本发明专利技术方法在氮化硅硬掩模层刻蚀去除之后立即进行一次氧化物的湿法刻蚀工艺降低深沟槽顶部氧化物膜层的厚度，在后续的STI沟槽刻蚀中拐角处的被减薄的氧化物膜层不对硅的刻蚀造成阻挡，也就改善现有工艺中STI沟槽刻蚀之后形成硅的墙状残留的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件及工艺制造领域，特别是涉及一种改善硅残留的方法。

技术介绍

1、深槽隔离结构dti是半导体器件中常用的隔离结构，一般在深宽比大于20的沟槽中填充绝缘介质层以形成隔离结构，dti结构一般与浅槽隔离结构sti结合使用，即dti结构位于sti结构的范围内。在一种半导体工艺中，是先制作dti沟槽然后再制作sti沟槽。如图1所示，在dti沟槽刻蚀完成之后，进行介质层的填充，填充采用的是热氧化硅。填充完成之后，如图2所示，dti深沟槽顶部拐角处的氧化硅层会翘起且比其他区域的膜层更厚，在后续的氮化硅膜层移除以及有源区硬掩模层淀积之后，由于dti沟槽在sti区域内，在后续的sti区域的刻蚀工艺中转角处的氧化硅会阻挡硅的刻蚀，进而会形成硅的墙状残留缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种改善硅残留的方法，改善dti工艺中的形貌缺陷。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种改善硅残留的方法：

3、步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上淀积一层隔离区本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善硅残留的方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：所述的步骤一中，隔离区硬掩模层为氧化硅/氮化硅/氧化硅层，即ONO层。

3.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：所述的步骤三中，热氧化法形成的氧化物在深沟槽顶部开口处区域具有更厚的膜层厚度；湿法刻蚀工艺之后，深沟槽顶部开口处区域的所述氧化物的膜厚被刻蚀掉一部分，降低深沟槽顶部开口处区域的所述氧化物的膜厚。

5.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：所述的步骤三中，所述的湿法刻...

【技术特征摘要】

1.一种改善硅残留的方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：所述的步骤一中，隔离区硬掩模层为氧化硅/氮化硅/氧化硅层，即ono层。

3.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：

4.如权利要求1所述的改善硅残留的方法，其特征在于：所述的步骤三中，热氧化法形成的氧化物在深沟槽顶部开口处区域具有更厚的膜层厚度；湿法刻蚀工艺之后，深沟槽顶部开口处区域的所述氧化物的膜厚被...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟艳秋，孙娟，陈跃华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：