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本发明公开了一种改善硅残留的方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上进行刻蚀形成深槽隔离结构的深沟槽；步骤二，进行深槽隔离结构的深沟槽填充工艺，在所述的深沟槽中填充满氧化物；步骤三，去除所述的隔离区硬掩模层，进行一次氧化物...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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