【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体芯片，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备。
技术介绍
1、在三维存储器的制造工艺中，顶部选择栅线(top selective gate，tsg)通常制备在堆叠结构内，并结合目前
内的制备工艺，实现对三维存储器的新结构的开发。然而，在当前三维存储器内新开发的半导体结构中，选择栅线的刻蚀工艺要求其具有较高的厚度，致使半导体结构在尺寸上难以进一步微缩。
2、因此，如何实现半导体结构的进一步微缩，是相关技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备。
2、本公开的实施例采用如下技术方案：
3、一方面，提供一种半导体结构。所述半导体结构包括：堆叠结构、选择栅线层、存储串和隔离结构。选择栅线层叠置在堆叠结构上，存储串沿叠置方向穿过堆叠结构和选择栅线层，隔离结构沿叠置方向穿过选择栅线层，并沿第一方向延伸，以将选择栅线层分割成多个选择栅线。沿第一方向，隔离结构穿过...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述选择栅线的材料包括金属材料。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述选择栅线层在所述叠置方向上的厚度大于或等于19nm，且小于或等于50nm。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括相对设置第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁均沿所述第一方向延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一者包括多个弧形面，所述多个弧形面沿所述第一方向延伸
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述选择栅线的材料包括金属材料。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述选择栅线层在所述叠置方向上的厚度大于或等于19nm，且小于或等于50nm。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括相对设置第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁均沿所述第一方向延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一者包括多个弧形面，所述多个弧形面沿所述第一方向延伸且依次连接。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
7.一种半导体结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丽媛，李兆松，魏健蓝，毛晓明，李思晢，高晶，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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