【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于高压固态断路器（sscb），本专利技术涉及一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电路。适用于高压直流电力系统中，以实现高效的故障清除和稳定的电压控制。
技术介绍
1、随着直流电网的不断发展，对高压电路的安全断开需求日益增加。传统的机械断路器响应速度较慢，且存在机械磨损的问题，无法满足现代高压直流电网的要求。相比之下，固态断路器因其快速响应、无电弧、可靠性高等优点，成为一种理想的解决方案。
2、现有技术中，许多固态断路器采用多个栅极驱动电路来控制串联的功率器件，这种多栅极控制方法虽然在实现上具有一定优势，但存在着电路复杂、成本较高、响应速度不够快等问题。因此，亟需一种新的驱动方法来简化电路结构，并提高其性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电路，采用改进的栅极控制方法，成功抑制了栅极振荡现象，提高了电路的稳定性。
2、实现本专利技术目的的技术解决方案为：
3、一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电...
【技术保护点】
1.一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电路，包括至少两个串联的SiC MOSFET器件，通过一栅极驱动电路控制多个串联的SiC MOSFET器件，其特征在于，每个SiC MOSFET器件并联缓冲电路，所述缓冲电路包括串联的电阻和电容，电阻的另一端连接SiC MOSFET器件的漏极，电容的另一端连接源极；
2.根据权利要求1所述的单驱动多开关串联的高压固态断路器电路，其特征在于，第一个SiC MOSFET器件的栅极通过第一栅极电阻连接栅极驱动电路，其余SiC MOSFET器件的栅极分别通过栅极电阻和驱动电容连接第一个SiC MOSFET器件的源极。
...【技术特征摘要】
1.一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电路，包括至少两个串联的sic mosfet器件，通过一栅极驱动电路控制多个串联的sic mosfet器件，其特征在于，每个sic mosfet器件并联缓冲电路，所述缓冲电路包括串联的电阻和电容，电阻的另一端连接sic mosfet器件的漏极，电容的另一端连接源极；
2.根据权利要求1所述的单驱动多开关串联的高压固态断路器电路，其特征在于，第一个sic mosfet器件的栅极通过第一栅极电阻连接栅极驱动电路，其余sic mosfet器件的栅极分别通过栅极电阻和驱动电容连接第一个sic mosfet器件的源极。
3.根据权利要求1所述的单驱动多开关串联的高压固态断路器电路，其特征在于，除最后一个sic mosfet器件之外的其余sic mosfet器件的压敏电阻的另一端通过第一二极管连接后一sic mosfet器件的栅极，第一二极管的阳极...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐培超，胡松，黄贤明，孙林峰，李巧珊，杨晴晴，
申请(专利权)人：苏州工学院，
类型：发明
国别省市：
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