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一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电路制造技术
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文档序号:46445666
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本发明公开了一种单驱动多开关串联的高压固态断路器电路,包括至少两个串联的SiC MOSFET器件,通过一栅极驱动电路控制多个串联的SiC MOSFET器件,每个SiC MOSFET器件并联缓冲电路,缓冲电路包括串联的电阻和电容,电阻的另一端...
该专利属于苏州工学院所有,仅供学习研究参考,未经过苏州工学院授权不得商用。
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