一种ESD防护器件结构制造技术

本技术涉及ESD防护器件，具体涉及一种ESD防护器件结构；包括由下至上依次分布的衬底、介质层和钝化层；所述衬底的上表面中部与介质层之间设有有源区；所述钝化层下表面中部与介质层之间设有金属层；所述介质层上开设有多个交错排列的接触孔，金属层下表面通过接触孔延伸至有源区上表面，并与有源区上表面接触。本技术通过相邻接触孔之间的介质层对金属层下表面进行有效支撑，降低在使用焊接头焊接打线时，金属层因焊接头的挤压形成弹坑的风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及esd防护器件，具体涉及一种esd防护器件结构。

技术介绍

1、随着芯片特征尺寸的持续减小，工艺中的结构深度与介质厚度均变得非常薄，与此同时，金属层的厚度也相应降低。当芯片压点下方存在电路结构时，进行焊线操作可能会因弹坑效应而破坏这些电路结构。为了规避这一问题，封装领域通常采取的策略是调整焊丝的直径，选用更加柔软的金线或合金线来减轻焊线时对电路结构的冲击。然而，由于成本和设备差异的限制，这种弹坑破坏现象仍时有发生。

2、对于功率器件而言，为了避免焊线时产生的弹坑现象，通常会选择更厚的金属层。esd(静电放电)保护器件就属于这类产品。但随着器件小型化的加速推进，基于封装外形和打线要求，芯片的厚度受到限制，不能超出规定范围。同时，由于一些工艺上的局限，金属层也不能做得过厚。因此，在焊接打线的过程中，焊接头仍有可能会在焊接过程中挤压金属层，使金属层发生变形形成弹坑，影响生产质量。

技术实现思路

1、为了解决上述的技术问题，本技术提供了一种esd防护器件结构，通过相邻接触孔之间的介质层对金属层下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ESD防护器件结构，其特征在于：包括由下至上依次分布的衬底(1)、介质层(2)和钝化层(3)；

2.根据权利要求1所述的ESD防护器件结构，其特征在于：所述介质层(2)包括由下至上依次分布的二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)；

3.根据权利要求2所述的ESD防护器件结构，其特征在于：所述二氧化硅层(21)的厚度为氮化硅层(22)的厚度为

4.根据权利要求1或2所述的ESD防护器件结构，其特征在于：所述接触孔(6)为正六边形接触孔。

5.根据权利要求1所述的ESD防护器件结构，其特征在于：所述钝化层(3)为氮化硅钝化层。

【技术特征摘要】

1.一种esd防护器件结构，其特征在于：包括由下至上依次分布的衬底(1)、介质层(2)和钝化层(3)；

2.根据权利要求1所述的esd防护器件结构，其特征在于：所述介质层(2)包括由下至上依次分布的二氧化硅层(21)和氮化硅层(22)；

3.根据权利要求2所述的esd...

【专利技术属性】
技术研发人员：张关保，贺健民，张彪，王康，
申请(专利权)人：西安迈驰半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：