一种纳米结构散射体制造技术

本发明专利技术提供了一种纳米结构散射体，属于显微成像技术领域，包括散射本体，工作波长为紫外和/或深紫外波段，在X偏振光瞳照射下在yz面内具有大于NA0.9的散射光线，在xz面内具有大于NA0.8的散射光线。散射本体为铬。本申请的纳米结构散射体满足在显微成像系统工作波长下较强的散射效应和较理想的均匀球面波前，便于在显微成像的像质检测领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显微成像，具体涉及一种纳米结构散射体。

技术介绍

1、在显微成像系统像质检测领域，在线像质检测面临检测信号微弱的问题，导致像质检测结果精度低、重复性低，在线集成高通量检测难度大，严重限制了高性能明场显微成像系统的工业化和集成化。

2、在显微成像系统像质检测方案中，系统点扩散函数的测量和分析可以提供直观和较高精度的评价结果。系统点扩散函数的分析基于对系统物面上近似理想的点辐射源的成像和测量。

3、在传统的明场显微成像系统中，对此类纳米点结构的成像信噪比较低，主要原因在于纳米结构的基底反射光较强，其作为干扰信号降低了纳米结构散射光成像的信噪比。所以，在明场显微成像系统的点扩散函数在线测量中，提供高成像信噪比的纳米结构具有重要意义。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种纳米结构散射体，其能解决上述问题。

2、一种纳米结构散射体，包括散射本体，散射本体的外接圆直径范围为100nm-180nm,工作波长为紫外和/或深紫外波段，在x偏振光本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米结构散射体，其特征在于：纳米结构散射体包括散射本体（1），散射本体（1）的外接圆直径范围为100nm-180nm,工作波长为紫外和/或深紫外波段，在X偏振光瞳照射下在yz面内具有大于NA0.9的散射光线，在xz面内具有大于NA0.8的散射光线。

2.根据权利要求1所述的纳米结构散射体，其特征在于：纳米结构散射体还包括在散射本体（1）底面设置的透明基板（2）。

3.根据权利要求1所述的纳米结构散射体，其特征在于：纳米结构散射体的散射本体（1）横截面为圆形、矩形、星形或正多边形。

4.根据权利要求1所述的纳米结构散射体，其特征在于：散射本体（1...

【技术特征摘要】

1.一种纳米结构散射体，其特征在于：纳米结构散射体包括散射本体（1），散射本体（1）的外接圆直径范围为100nm-180nm,工作波长为紫外和/或深紫外波段，在x偏振光瞳照射下在yz面内具有大于na0.9的散射光线，在xz面内具有大于na0.8的散射光线。

2.根据权利要求1所述的纳米结构散射体，其特征在于：纳米结构散射体还包括在散射...

【专利技术属性】
技术研发人员：马平准，陶齐勇，王婧，陶大帅，王少卿，
申请(专利权)人：苏州矽行半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：