气体含量控制装置及激光退火设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种气体含量控制装置及激光退火设备，所述气体含量控制装置通过第一匀流结构，将主腔体内部的杂质气体从顶部排出，且避免形成死区，造成后续运行过程中不断有杂质气体掺混进高纯氮气中，第二匀流结构，使得主腔体能够从底部对曝光区域构建一个氮气射流区域，对曝光区域直接进行供气保护，且在所述主腔体内部形成正压环境，由此，本发明专利技术提供的气体含量控制装置，主腔体内部流场不会产生严重的涡流，出气口处流动较为均匀，且进一步的，氮气流场沿着底部导流板进入外界环境，不会与外部环境气体发生掺混、卷吸现象，最终在曝光区域氧气浓度满足需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光退火，特别涉及一种气体含量控制装置及激光退火设备。

技术介绍

1、激光退火是通过激光脉冲器提供激光光源，激光光源通过光学加工系统(即一系列镜片)加工成剖面为细长的激光，通过激光对晶圆上的膜层进行照射。对晶圆使用激光退火技术的目的是为了晶化或提高结晶度，把非晶态材料转化为多晶或单晶态，这样使得在离子注入后，掺入的杂质与所述膜层中的原子有序的排列组合，从而改善晶圆的芯片单元上材料的电学特性。

2、为防止退火时在有氧气气氛下会形成高电阻的二氧化硅和氧化镍成分等杂质，因此要求激光退火作业必须在氮气等惰性气体保护下进行，进而提高激光退火性能。

3、现有的一种提供惰性气体的装置包括喷嘴机构和回收机构，喷嘴机构设置于回收机构的上方，喷嘴机构向下喷射氮气，回收机构抽取空气，以在喷嘴机构和回收机构之间存在气帘。该提供惰性气体的装置喷嘴机构设计难度大，难以形成较为理想的层流流场，底部回收机构引起的真空可能造成外界气体卷吸进入保护区域，破坏氮气氛围。

4、现有的另一种提供惰性气体的装置包括第一吹扫通道和回收通道，第一吹扫通道本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种气体含量控制装置，其特征在于，包括：主腔体；

2.如权利要求1所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一匀流结构和所述第二匀流结构分别包括至少一层沿所述内腔周向布置的多个吹扫口。

3.如权利要求2所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一匀流结构包括m层所述吹扫口，所述第一匀流结构的至少一层所述吹扫口朝向所述主腔体的顶部倾斜；

4.如权利要求3所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一匀流结构的吹扫口的倾斜方向与所述主腔体周向之间的夹角θ1为15°～60°。

5.如权利要求1所述的气体含量控制装置，其特征在于，还包括环形流道；...

【技术特征摘要】

1.一种气体含量控制装置，其特征在于，包括：主腔体；

2.如权利要求1所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一匀流结构和所述第二匀流结构分别包括至少一层沿所述内腔周向布置的多个吹扫口。

3.如权利要求2所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一匀流结构包括m层所述吹扫口，所述第一匀流结构的至少一层所述吹扫口朝向所述主腔体的顶部倾斜；

4.如权利要求3所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一匀流结构的吹扫口的倾斜方向与所述主腔体周向之间的夹角θ1为15°～60°。

5.如权利要求1所述的气体含量控制装置，其特征在于，还包括环形流道；

6.如权利要求5所述的气体含量控制装置，其特征在于，所述第一进气接口的数量为一个或一个以上，当所述第一进气接口的数量为一个以上时，所有所述第一进气接口沿所述环形流道的周向均匀布置；

7.如权利要求6所述的气体含量控制装置，其特征在于，随着与所述第一进气接口或所述第二进气...

【专利技术属性】
技术研发人员：程斌斌，王飞，张洪博，张丽，苏鹏，杨敏敏，
申请(专利权)人：上海芯上微装科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：