用于制造包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒的方法技术

一种用于制造包覆有Ga‑LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒的方法，包括：一正极浆料层涂覆在一正极基板上，其中该正极浆料层包括:含有结合剂的正极浆料；多个正极颗粒，其工艺如下:取多个NCM大颗粒；将LATP材料及Ga‑LLZO材料与多个该NCM大颗粒进行均匀混合以形成复合NCM大颗粒；接着将该复合NCM大颗粒进行有氧烧结得到烧结粉末；接着将该烧结粉末与CNT进行混合，而使得该CNT包覆该复合NCM大颗粒而形成该正极颗粒；其中该CNT是一种相当良好的导电材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于正极材料，尤其是一种用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法。

技术介绍

1、电池主要是由正极及负极置于电解液中所形成。其中正极是将为数众多的正极导电单元(正极材，如钴酸锂)混拌分散于浆料中。一般而言正极导电单元必须先与导电浆料混拌后方能应用于电极片上，并组装成电池。因此众多的正极导电单元(正极材)其彼此间是通过导电浆料所连接，因此导电浆料必须具有助导性或是导电性，方能使自由电子能在不同的正极导电单元中迁移且不必因内电阻而消耗过多能量，而达到有效的导电目的。因此制造浆料时必须考虑到使用特定导电材调节浆料的导电性。

2、一般为了增加导电性，在正极浆料内会填充多个正极颗粒，其中该正极颗粒的材料可以选自ncm(镍钴锰酸锂)、lmfp(磷酸锰铁锂)等或其混合物，该正极颗粒分布在该正极浆料内。

3、在申请人的其他专利中，为了更进一步增加整个浆料的导电性，于浆料中添加纳米碳管用于包围电池的正极材料中的正极颗粒，再应用纳米碳管跨接不同的正极导电单元，进而降低电子跨越浆料至另一正极导电单元所产生的内电阻，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于制造包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒的方法，其特征在于，该CNT总体重量占单颗该NCM大颗粒重量的比例小于0.25％。

3.如权利要求1所述的用于制造包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒的方法，其特征在于，该搅拌器为湿式搅拌器或干式搅拌器。

4.如权利要求1所述的用于制造包覆有Ga-LLZO、LATP及CNT的NCM正极颗粒的方法，其特征在于，烧结前，该Ga-LLZO细颗粒的横向尺寸小于10...

【技术特征摘要】

1.一种用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法，其特征在于，该cnt总体重量占单颗该ncm大颗粒重量的比例小于0.25％。

3.如权利要求1所述的用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法，其特征在于，该搅拌器为湿式搅拌器或干式搅拌器。

4.如权利要求1所述的用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法，其特征在于，烧结前，该ga-llzo细颗粒的横向尺寸小于100纳米；该latp细颗粒的横向尺寸小于50纳米。

5.如权利要求1所述的用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法，其特征在于，烧结后，该ncm大颗粒尺寸大小为3至5微米；该ga-llzo细颗粒的横向尺寸介于100至280纳米；该latp细颗粒的横向尺寸介于50至100纳米。

6.如权利要求1所述的用于制造包覆有ga-llzo、latp及cnt的ncm正极颗粒的方法，其特征在于，该ga-llzo细颗粒的总重量相对于单颗的该ncm大颗粒的重量的比介于0.5至0...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文忠，王伯萍，
申请(专利权)人：苏州固太科技有限公司，
类型：发明
国别省市：