晶圆的切割处理方法技术

本发明专利技术晶圆的切割处理方法，包括向晶圆的切割面照射激光光束，使所述切割面上形成切割通道，所述切割通道的深度小于所述晶圆的分离深度；对所述晶圆进行刻蚀，使所述切割通道的深度达到所述分离深度，以将所述晶圆分离成多个独立单元；以及在所述独立单元的分离表面沉积形成类金刚石碳层。本发明专利技术可大大降低晶圆切割时产生的应力，从而减少半导体的崩边现象，提高产品的良品率，保证产品的使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的切割处理方法。

技术介绍

1、目前，半导体切割方法普遍是通过机械加工来实现。例如，晶圆的切割工艺流程需要将晶圆底部打磨减薄，然后用旋转的磨轮刀具对晶圆进行切割。在切割的过程中，很容易造成晶圆半导体的内应力从而造成型变。但无论是机械磨底减薄还是正面的机械切割，都会造成较大的内应力，从而产生崩边的现象，进而影响晶圆的性能，不利于生产需要。

2、因此，亟待提供一种改进的晶圆切割方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种改进的晶圆的切割处理方法，大大降低晶圆切割时产生的应力，从而减少半导体的崩边现象，提高产品的良品率，保证产品的使用性能。

2、为实现上述目的，本专利技术晶圆的切割处理方法，包括以下步骤：

3、向晶圆的切割面照射激光光束，使所述切割面上形成切割通道，所述切割通道的深度小于所述晶圆的分离深度；

4、对所述晶圆进行刻蚀，使所述切割通道的深度达到所述分离深度，以将所述晶圆分离成多个独立单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆的切割处理方法，其特征在于包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：所述激光光束的波长为532nm。

3.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：所述激光光束的脉冲宽度为900-1200ps，频率为1500-2000kHz，单个聚焦光点的能量为600-850μJ。

4.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：经过激光光束照射后，所述切割通道的深度为1.95-1.98mm。

5.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：经过刻蚀后，所述切割通道的刻蚀深度为0.02-0.05m...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆的切割处理方法，其特征在于包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：所述激光光束的波长为532nm。

3.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：所述激光光束的脉冲宽度为900-1200ps，频率为1500-2000khz，单个聚焦光点的能量为600-850μj。

4.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：经过激光光束照射后，所述切割通道的深度为1.95-1.98mm。

5.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于：经过刻蚀后，所述切割通道的刻蚀深度为0.02-0.05mm。

6.如权利要求1所述的晶圆的切割处理方法，其特征在于，所述刻蚀的工艺条件包括：采用氩气和氧气...

【专利技术属性】
技术研发人员：王银果，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：