一种基于双段电流控制的AuAg合金凸块电镀方法技术

本发明专利技术公开了一种基于双段电流控制的AuAg合金凸块电镀方法，包括以下步骤：在包含金盐和银盐的Au/Ag合金镀液中对基材进行电镀处理，镀液中金盐与银盐的浓度比为2:8；电镀过程中包括两个阶段，分别设置不同的电流密度：第一阶段采用第一电流密度进行合金电沉积；第二阶段在合金层形成的后期采用第二电流密度继续电镀；两个阶段的电流密度不同，以在合金层中形成自底部至顶部的成分梯度分布。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种基于双段电流控制的auag合金凸块电镀方法。

技术介绍

1、随着微电子封装技术的不断发展，对金属互连材料的性能提出了更高要求。作为关键连接结构的金属凸块，不仅需具备良好的导电性与机械强度，还需具备优异的键合性能与抗氧化能力。au/ag(黄金/银)合金因其兼具优异的导电性、可焊性和成本优势，逐渐成为替代纯金材料的重要选择，在微凸点电镀领域得到广泛关注。

2、现有技术中，au/ag合金的电镀多采用低金高银配比，例如金盐与银盐浓度比为1:9的电镀液体系。该类配比虽然有效降低了原材料成本，但也带来了一系列问题：由于金含量不足，在常规电沉积过程中难以实现高纯度金覆盖层，导致电镀凸块顶部的金含量难以达到80％以上的目标，从而限制了其在对高可靠性连接要求严格的高端芯片封装中的应用。

3、此外，传统单一电流密度控制下沉积形成的合金层成分均匀，难以构建从底部到顶部逐步富集金元素的梯度结构。这种结构在提升连接界面可靠性方面具有显著优势，尤其有助于实现底层良好附着力与顶部优异导电性、抗蚀性的结合。因此，现有低金配比方案在满足先进封装需求方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于双段电流控制的AuAg合金凸块电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述第一电流密度为0.2-0.8A/dm2，第二电流密度为1-5A/dm2。

3.根据权利要求2所述的电镀方法，其特征在于，所述第二阶段电镀的持续时间为30-120秒。

4.根据权利要求3所述的电镀方法，其特征在于，所述第一阶段电镀持续时间为1000-2400秒。

5.根据权利要求4所述的电镀方法，其特征在于，合金凸块的厚度为5-11um，其顶部1-2μm厚度范围内的金含量纯度为80％以上。>

6.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种基于双段电流控制的auag合金凸块电镀方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述第一电流密度为0.2-0.8a/dm2，第二电流密度为1-5a/dm2。

3.根据权利要求2所述的电镀方法，其特征在于，所述第二阶段电镀的持续时间为30-120秒。

4.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，章剑，
申请(专利权)人：江苏晶度半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：