带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路及方法技术

本申请特别涉及一种带辅助位线写‑算可并行的存内计算单元电路及方法，包括：6TSRAM存储器单元包括第一反相器和第二反相器，第一反相器的漏极分别与第一晶体管的漏极、第二反相器的栅极和第二晶体管的栅极相连；第一反相器的栅极分别与第二反相器的漏极和第三晶体管的栅极相连；第二反相器的漏极与第四晶体管的源极相连；第一晶体管的栅极与第一字线相连，第一晶体管的源极与第一位线相连；第二晶体管的漏极与第一辅助位线相连，第二晶体管的源极与通过第一辅助字线与接地节点相连；第三晶体管的栅极与第二字线相连，第三晶体管的漏极与第二位线相连。由此，解决了相关技术中存内计算无法并行执行等问题，提升了计算效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路设计与存内计算，特别涉及一种带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路及方法。

技术介绍

1、存内计算(in-memory-computing)技术旨在解决在数据密集型计算任务中数据在存储器和运算逻辑之间频繁来回搬移造成过大的功耗、延时开销从而导致的算力瓶颈问题。由于存储器的高密度阵列型特点，存内计算架构比较适合处理数据形式规整、计算并行度高、计算逻辑简单且一致的运算任务，且希望运算中的一些操作数被预先给出并写入到存储器内部以供使用。

2、相关技术中，通过改变存储器单元结构，每一个静态随机存取存储器(staticrandom access memory，sram)单元增加一个与逻辑门，或每两个sram单元后增加一个或与非门，可以实现外部输入信号与存储电压信号的与运算，1比特的与运算可以看作是两个1比特数的的乘法，以此作为基础的乘法运算单元。相关技术中在每一列sram单元位线上挂载一些逻辑门结构，在打开字线时进行运算，或使用分裂字线交错存储等方式使并行度变为两倍。

3、然而，相关技术中由于sram存储器阵列的特性，处于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，包括：6T SRAM存储器单元、第一至第三晶体管，其中，

2.根据权利要求1所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，所述第四晶体管为PMOS管。

4.根据权利要求1所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，所述第一反相器包括：第五晶体管和第六晶体管，其中，

5.根据权利要求4所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，所述第二反相器包括：第...

【技术特征摘要】

1.一种带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，包括：6t sram存储器单元、第一至第三晶体管，其中，

2.根据权利要求1所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，所述第四晶体管为pmos管。

4.根据权利要求1所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，所述第一反相器包括：第五晶体管和第六晶体管，其中，

5.根据权利要求4所述的带辅助位线写-算可并行的存内计算单元电路，其特征在于，所述第二反相器包括：第七晶体管和第八晶体管，其中，

6.根据权利要求1所述的带辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐建石，徐崧淳，何源，李南启，孙丛，伍冬，钱鹤，吴华强，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：