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本申请特别涉及一种带辅助位线写‑算可并行的存内计算单元电路及方法，包括：6TSRAM存储器单元包括第一反相器和第二反相器，第一反相器的漏极分别与第一晶体管的漏极、第二反相器的栅极和第二晶体管的栅极相连；第一反相器的栅极分别与第二反相器的漏极...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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