【技术实现步骤摘要】
本文中所公开的实施例涉及铁电晶体管，涉及包括铁电晶体管的存储器电路系统，且涉及用于形成包括个别地包括水平铁电晶体管的存储器单元的存储器电路系统的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。可以个别存储器单元的一或多个阵列制作存储器。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可被称为字线)写入到存储器单元或自存储器单元读取。数字线可使沿阵列的列的存储器单元导电互连，且存取线可使沿阵列的行的存储器单元导电互连。
2、存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可存储数据达延长时段，包含在计算机关闭时。易失性存储器消散且因此需要刷新/重写，在许多例子中每秒多次。无论如何，存储器单元经配置以依至少两个不同可选择状态保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”抑或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息水平或状态。
3、铁电场效应晶体管(fefet)可用作存储器单元。具体来说，fefet可具有对应于fe...
【技术保护点】
1.一种铁电晶体管，其包括：
2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中背栅极绝缘体水平地介于所述背栅极与所述沟道区的所述背侧之间，使得所述背栅极不直接抵靠所述沟道区。
3.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述背栅极直接抵靠所述沟道区的所述背侧。
4.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其包括所述(a)。
5.根据权利要求4所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料不直接抵靠所述沟道区的所述前侧。
6.根据权利要求4所述的铁电晶体管，其中所述电介质材料在垂直横截面中具有C形形状。
7.根据权利要求4所述的铁...
【技术特征摘要】
1.一种铁电晶体管，其包括：
2.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中背栅极绝缘体水平地介于所述背栅极与所述沟道区的所述背侧之间，使得所述背栅极不直接抵靠所述沟道区。
3.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其中所述背栅极直接抵靠所述沟道区的所述背侧。
4.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其包括所述(a)。
5.根据权利要求4所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料不直接抵靠所述沟道区的所述前侧。
6.根据权利要求4所述的铁电晶体管，其中所述电介质材料在垂直横截面中具有c形形状。
7.根据权利要求4所述的铁电晶体管，其中所述电介质材料直接抵靠所述前栅极。
8.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其包括所述(b)。
9.根据权利要求8所述的铁电晶体管，其中所述铁电材料不直接抵靠所述沟道区的所述前侧。
10.根据权利要求8所述的铁电晶体管，其中所述电介质材料在垂直横截面中具有c形形状。
11.根据权利要求1所述的铁电晶体管，其包括所述(a)及所述(b)两者。
12.一种存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·M·考尔道，D·V·N·拉马斯瓦米，刘海涛，K·萨尔帕特瓦里，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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