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铁电晶体管、包括铁电晶体管的存储器电路系统,以及用于形成包括个别地包括水平铁电晶体管的存储器单元的存储器电路系统的方法技术方案
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本公开涉及一种铁电晶体管,包括铁电晶体管的存储器电路系统,以及用于形成包括个别地包括水平铁电晶体管的存储器单元的存储器电路系统的方法。所述铁电晶体管包括两个源极/漏极区,所述两个源极/漏极区之间水平地具有沟道区。所述沟道区沿着通过所述沟道区...
该专利属于美光科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过美光科技公司授权不得商用。
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