【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种光通信领域的技术，具体是一种基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器。
技术介绍
1、功率分配器作为光网络与光子集成电路(pic)中的核心无源器件，其功能是将输入光信号按特定比例分配至多个输出端口。传统功率分配器(如y型分支器、多模干涉耦合器)通常基于固定结构构造，且非均匀方案普遍存在体积大、功耗高、响应速度慢和集成兼容性差等问题，难以满足高密度光子集成与低延迟通信场景的需求。
技术实现思路
1、本专利技术针对现有技术无法实现非均匀的功率分配的不足，提出一种基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，在基模输入的情况下，通过构造晶格大小实现1:2和1:3的非均匀功率分配，在1530-1580nm波长范围内两个端口输出均满足特定比例，损耗小于2db，光子晶体区域长度小于100μm。
2、本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术涉及一种基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，包括：由下而上依次设置的埋氧层、硅层和上包层，其中：硅层为蚀刻得到的一个前...
【技术保护点】
1.一种基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，其特征在于，包括：由下而上依次设置的埋氧层、硅层和上包层，其中：硅层为蚀刻得到的一个前端直波导、蜂窝晶格结构的光子晶体以及两个输出端直波导，入射光通过光子晶体形成赝磁场后，在两个输出端实现非均匀功率分配；
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，其特征是，所述的两种等边三角形孔阵列，包括：沿竖直方向交错排列的顶角朝输入端方向的第一等边三角形阵列以及顶角朝输出端方向的第二等边三角形阵列，其中：第一和第二等边三角形阵列在光子晶体自输入端向输出端对称轴上的面积相同，构成非扰动层，沿着非扰动层向光...
【技术特征摘要】
1.一种基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，其特征在于，包括：由下而上依次设置的埋氧层、硅层和上包层，其中：硅层为蚀刻得到的一个前端直波导、蜂窝晶格结构的光子晶体以及两个输出端直波导，入射光通过光子晶体形成赝磁场后，在两个输出端实现非均匀功率分配；
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，其特征是，所述的两种等边三角形孔阵列，包括：沿竖直方向交错排列的顶角朝输入端方向的第一等边三角形阵列以及顶角朝输出端方向的第二等边三角形阵列，其中：第一和第二等边三角形阵列在光子晶体自输入端向输出端对称轴上的面积相同，构成非扰动层，沿着非扰动层向光子晶体两侧的等边三角形孔的边长随其与对称轴距离增加相应变化。
3.根据权利要求1或2所述的基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器，其特征是，所述的等边三角形孔的边长随其与对称轴距离增加相应变化，具体是指：在任一竖直方向上第一等边三角形阵列中三角形边长的变化量与对应的第二等边三角形阵列中三角形边长的变化量相匹配。
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