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基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器制造技术
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下载基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器的技术资料
文档序号:46071843
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一种基于光子晶体赝磁场的非均匀功率分配器,包括:由下而上依次设置的埋氧层、硅层和上包层,其中:硅层为蚀刻得到的一个前端直波导、蜂窝晶格结构的光子晶体以及两个输出端直波导,入射光通过光子晶体形成赝磁场后,在两个输出端实现非均匀功率分配。本发明...
该专利属于上海交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海交通大学授权不得商用。
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