调控高阻层片电阻的OPC修正方法技术

本申请提供一种调控高阻层片电阻的OPC修正方法，包括：步骤一，在原始版图中划定高阻层和硅化物阻挡层所在的版图区域，根据该版图区域确定高阻层片电阻的阻值；步骤二，根据步骤一中确定的高阻层片电阻的阻值，缩减高阻层的与硅化物阻挡层相交叠部分的宽度。通过改变版图中高阻层的形状来调控高阻层片电阻的阻值，无须调整接触孔的位置，提供不同制造工艺下更灵活的版图设计弹性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种调控高阻层片电阻的opc修正方法。

技术介绍

1、对于不同的半导体器件制造工艺，高阻层(hir)片电阻(sheet resistance)的阻值大小的限定方式不同。如图1所示，采用工艺一制备左边版图中的器件结构，版图中高阻层片电阻的阻值大小由硅化物阻挡层(sab)的长度限定；采用工艺二制备右边版图中的器件结构，版图中高阻层片电阻的阻值大小由位于硅化物阻挡层两侧的接触孔的间距限定。如果采用工艺二制备左边版图中的器件结构，为了不改变高阻层片电阻的阻值，就需要将版图中的接触孔移动至硅化物阻挡层的侧边，从而使位于硅化物阻挡层两侧的接触孔的间距与硅化物阻挡层的长度等值。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种调控高阻层片电阻的opc修正方法，用于解决现有技术中在不改变高阻层片电阻阻值的前提下改变制造工艺需要改动版图中接触孔位置的问题。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种调控高阻层片电阻的opc修正方法，包括：p>

3、步骤一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种调控高阻层片电阻的OPC修正方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高阻层片电阻的阻值由下式确定：其中，Rs为高阻层片电阻的阻值，ρ为高阻层材料的电阻率，L为硅化物阻挡层的长度，W为高阻层的宽度，Thick为高阻层的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高阻层的与硅化物阻挡层相交叠部分的宽度由下式确定：W1＝L1/(Rs×Thick/ρ-2L2/W)，其中，W1为高阻层的与硅化物阻挡层相交叠部分的宽度，L1为高阻层的与硅化物阻挡层相交叠部分的长度(与硅化物阻挡层的长度等值)，L2为接触孔与硅化物阻挡层...

【技术特征摘要】

1.一种调控高阻层片电阻的opc修正方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高阻层片电阻的阻值由下式确定：其中，rs为高阻层片电阻的阻值，ρ为高阻层材料的电阻率，l为硅化物阻挡层的长度，w为高阻层的宽度，thick为高阻层的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高阻层的与硅化物阻挡层相交叠部分的宽度由下式确定：w1＝l1/(rs×thick/ρ-2l2/w)，其中，w1为高...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏翰，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：