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本申请提供一种调控高阻层片电阻的OPC修正方法，包括：步骤一，在原始版图中划定高阻层和硅化物阻挡层所在的版图区域，根据该版图区域确定高阻层片电阻的阻值；步骤二，根据步骤一中确定的高阻层片电阻的阻值，缩减高阻层的与硅化物阻挡层相交叠部分的宽度...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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