【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶检测的,特别是涉及一种光刻胶中水溶性阴离子的检测方法。
技术介绍
1、对于光刻胶痕量阴离子检测,目前常用的检测方法是赛默飞推出的cic在线燃烧离子色谱法测定光刻胶及树脂中的卤素。通过燃烧,光刻胶及树脂样品基质被完全消除,实现一次进样同时分析样品中的所有卤素含量。然而这种方法需要针对光刻胶及树脂类样品配置专用的燃烧炉-离子色谱仪(专机专用),设备成本高;另外,燃烧后测试的结果为光刻胶中卤素总含量,并不包含硫酸根、磷酸根、硝酸根等阴离子,测试结果不完整,并不能准确测定光刻胶及树脂样品中阴离子含量。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种光刻胶中水溶性阴离子的检测方法,用于解决现有技术检测成本高、且不能准确测定光刻胶中阴离子含量的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术是通过以下技术方案获得的。
3、本专利技术提供一种光刻胶中水溶性阴离子的检测方法,将光刻胶样品和水混合,经分离处理获得水相提取液,测定所述
...【技术保护点】
1.一种光刻胶中水溶性阴离子的检测方法,其特征在于,将光刻胶样品和水混合,经分离处理获得水相提取液,测定所述提取液中水溶性阴离子的含量,然后计算获得所述光刻胶样品中水溶性阴离子的含量。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,混合时,采用超声和/或涡旋震荡;和/或,所述水溶性阴离子选自氟离子、氯离子、溴离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、硫酸根离子和磷酸根离子中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,超声时间为15~45min。
4.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述水为超纯水。
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...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶中水溶性阴离子的检测方法,其特征在于,将光刻胶样品和水混合,经分离处理获得水相提取液,测定所述提取液中水溶性阴离子的含量,然后计算获得所述光刻胶样品中水溶性阴离子的含量。
2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,混合时,采用超声和/或涡旋震荡;和/或,所述水溶性阴离子选自氟离子、氯离子、溴离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子、硫酸根离子和磷酸根离子中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,超声时间为15~45min。
4.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述水为超纯水。
5.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,所述分离采用离心分相和/或微滤。
6.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述离心时间为30~45min;和/或,所述离心转速为3000~5000rpm;和/或,所述微滤的滤膜孔径为0.22~0.5μm;和/或,所述微滤采用聚四氟乙烯滤膜。
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【专利技术属性】
技术研发人员:邹阅超,蔡慧妍,王轶滢,
申请(专利权)人:上海集成电路材料研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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