【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，具体而言，涉及一种高密度重新分布互连封装结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体行业的快速发展， chiplet技术作为新的设计方式，将不同功能的小芯片封装在一起。然而，其封装结构内部各种材料热膨胀系数以及杨氏模量不一致，容易导致其上下层存在翘曲或形变不一致的现象，进而容易导致分层现象（例如介质层与塑封体、布线层与介质之间分层），从而导致其产品可靠性不佳而影响其性能。
2、此外，常规的封装结构其叠层一侧由于存在叠层芯片、布线层以及塑封体等材料，其材料叠层结构热膨胀系数大于底部重布线层的热膨胀系数，其由于热膨胀产生的收缩性不一致，容易导致封装结构翘曲。同时，常规技术通过布线层实现电传导，电流在布线层之间形成电感效应，从而存在寄生电感，进而产生漏电现象导致布线层之间短路、过热等现象，且常规技术中的散热效果难以满足实际要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高密度重新分布互连封装结构及其制备方法，能够大幅提升散热性能，并且能够大幅提升封装结构...
【技术保护点】
1.一种高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述第一散热柱相对于所述基底重布线层的高度低于所述第二导电柱相对于所述基底重布线层的高度，以使所述第一散热柱与所述第一堆叠重布线层间隔设置。
3.根据权利要求2所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述第一散热柱位于所述第二导电柱外侧，并与所述第二导电柱间隔设置。
4.根据权利要求3所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述包覆层包覆于所述集成重布线层的侧壁，且所述第二导电柱设置在所述集成重布线层的
<...【技术特征摘要】
1.一种高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述第一散热柱相对于所述基底重布线层的高度低于所述第二导电柱相对于所述基底重布线层的高度，以使所述第一散热柱与所述第一堆叠重布线层间隔设置。
3.根据权利要求2所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述第一散热柱位于所述第二导电柱外侧，并与所述第二导电柱间隔设置。
4.根据权利要求3所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述包覆层包覆于所述集成重布线层的侧壁，且所述第二导电柱设置在所述集成重布线层的至少两侧。
5.根据权利要求4所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述集成重布线层的厚度与所述第二导电柱伸出所述第一塑封体的凸起高度相同，以使所述第一堆叠重布线层接合于所述集成重布线层远离所述基底重布线层的一侧表面。
6.根据权利要求2所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述基底重布线层上设置有接地焊盘，所述第一散热柱的底端连接于所述接地焊盘。
7.根据权利要求2所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述高密度重新分布互连封装结构还包括第三芯片，所述第三芯片的背面贴装在所述基底重布线层上，且所述第三芯片设置在所述第一芯片的至少两侧，并位于所述第一导电柱和所述第二导电柱之间，所述集成重布线层与所述第三芯片电连接。
8.根据权利要求7所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述集成重布线层包括第一集成布线层和至少一层第二集成布线层，所述第一集成布线层设置在所述第一塑封体远离所述基底重布线层的一侧表面，并与所述第一导电柱电连接，所述第二集成布线层设置在所述第一集成布线层上，所述第三芯片的正面凸出于所述第一塑封体，且所述第三芯片相对于所述第一塑封体的凸出高度与所述第一集成布线层的厚度相同。
9.根据权利要求7所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述第三芯片的正面还设置有保护层。
10.根据权利要求2所述的高密度重新分布互连封装结构，其特征在于，所述高密度重新分布互连封装结构还包括第四芯片和第三塑封体，所述第四芯片设置在所述集成重布线层上，并与所述集成重布线层电连接，所述第三塑封体设置在所述集成重布线层上，并包覆于所述第四芯片，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：何正鸿，
申请(专利权)人：甬矽半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：
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