【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种n型背结双面topcon电池及其制备方法。
技术介绍
1、开发量产光电转换效率高且兼具经济可行性的新型晶体硅太阳能电池是目前光伏行业的研究热点。topcon（隧穿氧化层钝化接触）技术是近年来快速发展的新型晶体硅太阳电池技术，接触采用全面积多晶硅/氧化硅钝化接触取代了perc（钝化发射极及背面接触）电池的局部接触，抑制了金属-硅界面处的少数载流子复合，同时允许多数载流子通过超薄氧化硅量子隧穿的方式进行传输，获得具有低电阻率接触的优异表面钝化，并且能够在硅太阳电池中实现更高的效率。topcon高效电池技术核心是采用超薄氧化硅层和重掺杂多晶硅层组成钝化接触结构，可以实现优异的表面钝化效果和载流子选择性收集。
2、现有n型topcon晶硅太阳电池中的硼发射极通常采用热扩散法制备，存在发射极方阻不均匀，产生富硼层，副产物粘附导致的石英管破裂及很高的热预算等问题，该问题都导致现有的硼发射级制备工艺成本巨大，并延缓了topcon电池的产业化进程，另外现有技术在等离子体增强化学气相沉积中通入氨气作为前驱...
【技术保护点】
1.一种N型背结双面TOPCon电池，其特征在于，包括设置在中部的N型硅基体，所述N型硅基体的正反两面均设置有氧化硅层，带有氧化硅层的所述N型硅基体正反两面均沉积掺氮非晶硅薄膜，背面所述掺氮非晶硅薄膜的下端设置有掺硼非晶硅薄膜，正面所述掺氮非晶硅薄膜的上端设置有掺磷非晶硅薄膜，所述N型硅基体的正面沉积氧化铝膜层，所述掺硼非晶硅薄膜与所述掺磷非晶硅薄膜的外部均沉积有氮化硅减反射层，所述氮化硅减反射层上均设置有电极。
2.根据权利要求1所述的N型背结双面TOPCon电池，其特征在于，所述N型硅基体的厚度为50~200μm，电阻率为0.1~10Ω·cm。
...【技术特征摘要】
1.一种n型背结双面topcon电池，其特征在于，包括设置在中部的n型硅基体，所述n型硅基体的正反两面均设置有氧化硅层，带有氧化硅层的所述n型硅基体正反两面均沉积掺氮非晶硅薄膜，背面所述掺氮非晶硅薄膜的下端设置有掺硼非晶硅薄膜，正面所述掺氮非晶硅薄膜的上端设置有掺磷非晶硅薄膜，所述n型硅基体的正面沉积氧化铝膜层，所述掺硼非晶硅薄膜与所述掺磷非晶硅薄膜的外部均沉积有氮化硅减反射层，所述氮化硅减反射层上均设置有电极。
2.根据权利要求1所述的n型背结双面topcon电池，其特征在于，所述n型硅基体的厚度为50~200μm，电阻率为0.1~10ω·cm。
3.一种根据权利要求1~2中任意一项所述的n型背结双面topcon电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3中所述的n型背结双面topcon电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s2中薄氧化硅层的厚度为1~2nm。
5.根据权利要求3中所述的n型背结双面topcon电池的制备方法，其特征在于，所述步骤s3、s4、s5中采用等离子体增强化学气相沉积，所述步骤s3中利用硅烷、磷烷、氢气、氨气作为前驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：李亚鹏，王立富，谢文庆，史志冰，周文，徐昆，
申请(专利权)人：鸿旭江苏新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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