【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及一种二次加料定位装置及单晶炉、二次加料方法。
技术介绍
1、直拉法是单晶硅圆生产所采用的主要方法。该方法，需将高纯度多晶硅料投放入单晶炉内的石英坩埚中，经熔料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、冷却、取棒等工艺，拉制成单晶硅棒，再经一系列步骤加工成单晶硅圆。其中，多晶硅料被融为液体后，硅溶液面与石英坩埚上沿存在较大空间，可加入硅料提升产能。因此多晶硅料需要二次加料，增大石英坩埚的存料量，降低生产成本。
2、相关技术中，二次加料装置主要采用二次加料管、设置于二次加料管底部的石英锥、以及设置于二次加料管内的中间连杆组成。单晶炉内部设置法兰定位盘，用于与二次加料管上的法兰盘配合，对二次加料管进行定位。在二次加料时，石英管内放置多晶硅料，中间连杆下降，推动底部的石英锥下降卸料。
3、加完料之后，石英锥向上提升时，可能存在大块硅料卡在二次加料管底部与石英锥的接触面上，此时需要降低埚位，给二次加料管一个拉速，使得二次加料管上下运动，进而将卡在接触面上的硅料甩掉。在这个过程中，二次加料管的法...
【技术保护点】
1.一种二次加料定位装置，用于对二次加料管进行定位，所述二次加料管的外壁沿周向设有支撑结构；其特征在于，所述二次加料定位装置包括至少两个定位单元，至少两个所述定位单元设置在单晶炉的内侧壁上，且沿着所述单晶炉的周向间隔设置；至少一个所述定位单元包括：
2.根据权利要求1所述的二次加料定位装置，其特征在于，在所述展开状态，相邻两个所述定位单元中，其中一者的所述第二缓冲垫与另一者的所述第一缓冲垫搭接。
3.根据权利要求1所述的二次加料定位装置，其特征在于，所述第一缓冲垫固定连接在所述承托件上，所述第二缓冲垫相对所述承托件可活动。
4.根据...
【技术特征摘要】
1.一种二次加料定位装置，用于对二次加料管进行定位，所述二次加料管的外壁沿周向设有支撑结构；其特征在于，所述二次加料定位装置包括至少两个定位单元，至少两个所述定位单元设置在单晶炉的内侧壁上，且沿着所述单晶炉的周向间隔设置；至少一个所述定位单元包括：
2.根据权利要求1所述的二次加料定位装置，其特征在于，在所述展开状态，相邻两个所述定位单元中，其中一者的所述第二缓冲垫与另一者的所述第一缓冲垫搭接。
3.根据权利要求1所述的二次加料定位装置，其特征在于，所述第一缓冲垫固定连接在所述承托件上，所述第二缓冲垫相对所述承托件可活动。
4.根据权利要求1所述的二次加料定位装置，其特征在于，所述承托件被构造为与所述单晶炉同心设置的弧形定位块，所述第一缓冲垫与所述第二缓冲垫中任一者均被构造为与所述单晶炉同心设置的弧形垫块。
5.根据权利要求4所述的二次加料定位装置，其特征在于，所述第一缓冲垫与所述第二缓冲垫的弧形半径相同；其中，在所述折叠状态下，所述第一缓...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑永远，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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