本发明专利技术公开了一种接触孔的制造方法，包括：步骤一、进行刻蚀形成接触孔开口。步骤二、进行第一次钨沉积形成第一钨层，在部分接触孔开口的顶部具有缩颈形貌并形成钨未完全填充的缝隙。步骤三、进行第一次CMP到底层结构的顶部表面之下的第一目标位置，第一次CMP后，缩颈形貌被去除以及缝隙完全打开。步骤四、进行第二次钨沉积形成第二钨层，第二钨层将缝隙完全填充并延伸到缝隙外的表面上。步骤五、进行第二次CMP到第二目标位置，第二目标位置等于或低于第一目标位置，第二次CMP后，缝隙外的第二钨层都被去除，缝隙被第二钨层完全填充。本发明专利技术能消除钨缝隙打开的缺陷，能避免在缝隙底部形成钨空洞以及免由此带来的CP bist测试失败。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种接触孔的制造方法。
技术介绍
1、器件尺寸逐步微缩对接触孔(ct)刻蚀(et)以及w填充工艺带来了严峻的挑战。在现有工艺中，随着工艺节点的减小，经et作业后ct孔顶部区域存在缩颈形貌(neckingprofile)，后续通过物理气相沉积(pvd)方式填充w时，缩颈(necking)位置的关键尺寸(cd)即宽度较小提前收口导致高深宽比的ct孔内部w未填充完全。通过化学机械研磨(cmp)工艺研磨到目标(target)位置后，导致缝隙(seam)被打开，由于w易被碱性或强氧化性液体腐蚀，在后层的清洗工艺中使用的腐蚀性液体会沿着seam缝隙流入到下层发生反应，导致底部w空洞(viod0)即dvc，从而引起晶圆测试(cp)的芯片内置测试(bist)失败(fail)。
2、如图1a至图1b所示，是现有接触孔的制造方法各步骤中的器件结构示意图；现有接触孔的制造方法包括如下步骤：
3、步骤一、如图1a所示，对底层结构的接触孔的形成区域进行刻蚀形成多个接触孔开口。
>4、图1a中，所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述底层结构包括半导体衬底以及层间膜，所述层间膜形成于所述半导体衬底的表面上，所述接触孔开口穿过所述层间膜。
3.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。
4.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构以及自对准形成于所述栅极结构两侧的源区和漏区。
5.如权利要求4所述的接触孔的制造方法，其特征在于：步骤一中，在所述源区、所述漏区、所述...
【技术特征摘要】
1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述底层结构包括半导体衬底以及层间膜，所述层间膜形成于所述半导体衬底的表面上，所述接触孔开口穿过所述层间膜。
3.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。
4.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有半导体器件，所述半导体器件包括栅极结构以及自对准形成于所述栅极结构两侧的源区和漏区。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈凡，朱绍佳，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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